onsemi MJD112T4G Darlington tranzisztor, NPN, 4 A, 100 V, HFE:200, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres

RS raktári szám:: 463-016
Gyártó cikkszáma:: MJD112T4G
Gyártó:: onsemi

onsemi MJD112T4G Darlington tranzisztor, NPN, 4 A, 100 V, HFE:200, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres

Összevont kedvezmény elérhető

Ár Darab (20 darabos csomagbol)**

219 Ft

(ÁFA nélkül)

279 Ft

(ÁFÁ-val)

80 Raktáron van 4 munkanapon belüli szállításra.*

*A szállítási határidők a rendelt mennyiség és a szállítási cím függvényében változhatnak.

INGYENES házhozszállítás 15 000 Ft felett

Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.

Egység	Egységenként	csomagonként**
20 - 180	219 Ft	4 388 Ft
200 - 480	189 Ft	3 784 Ft
500 - 980	164 Ft	3 280 Ft
1000 +	144 Ft	2 882 Ft

**ár

RS raktári szám:: 463-016
Gyártó cikkszáma:: MJD112T4G
Gyártó:: onsemi

MJD112 (NPN), MJD117 (PNP), Complementary Darlington Power Transistors
ESD Control Selection Guide V1

Tulajdonság	Érték
Tranzisztortípus	NPN
Maximális folyamatos kollektoráram	4 A
Maximális kollektor kibocsátó feszültség	100 V
Maximális kibocsátó alapfeszültség	5 V
Csomag típusa	DPAK (TO-252)
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Elemek száma chipenként	1
Minimális egyenáramú erősítés	200
Maximális alap kibocsátó telítés feszültség	4 V
Maximális kollektor alapfeszültség	100 V
Maximális kollektor kibocsátó telítés feszültség	3 V
Maximális kollektor levágási feszültség	0.02mA
Magasság	2.38mm
Szélesség	6.22mm
Hossz	6.73mm
Méret	6.73 x 6.22 x 2.38mm
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Min. működési hőmérséklet	-65 °C

onsemi MJD112T4G Darlington tranzisztor, NPN, 4 A, 100 V, HFE:200, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres

INGYENES házhozszállítás 15 000 Ft felett

Az on Semiconductor NPN Darlington tranzisztorok

Szabványok