FRAM memória FM28V202A-TG, Párhuzamos 2Mbit, 128K x 16 bit, 60ns, 44-tüskés, TSOP
- RS raktári szám:
- 124-2992
- Gyártó cikkszáma:
- FM28V202A-TG
- Gyártó:
- Cypress Semiconductor
Megszüntetett termék
- RS raktári szám:
- 124-2992
- Gyártó cikkszáma:
- FM28V202A-TG
- Gyártó:
- Cypress Semiconductor
FRAM, Cypress Semiconductor
A Ferroelektromos Véletlen hozzáférésű memória (F-RAM) energiahatékony, és a soros és párhuzamos interfészeken egyaránt a legnagyobb megbízhatósággal rendelkezik a nem felejtő kosoknak. Az A jelű alkatrészeket járműalkalmazásokhoz tervezték, és az AEC-Q100 mellé állnak.
Nemfelejtő Ferroelektromos Ram Memória
Gyors írási sebesség
Nagy teherbírásra
Kis teljesítményfelvétel
Gyors írási sebesség
Nagy teherbírásra
Kis teljesítményfelvétel
2 Mbit-es ferromelektromosan véletlen hozzáférésű memória (F-RAM) logikailag 128 K x 16-ra van szervezve
UB és LB segítségével 256 K x 8 néven konfigurálható
Nagy teherbírású 100 trillió (1014) olvasás/írás
151 éves adatrögzítés (lásd az Adatok visszatartása és tartóssága táblázatot)
NoDelay™ ír
Lapozás üzemmód 30 ns ciklusidőre
Advanced nagy megbízhatóságú ferromelektromos eljárás
SRAM kompatibilis
Szabványos 128 K x 16 SRAM érintkezőkiosztás
60 ns hozzáférési idő, 90 ns ciklusidő
Advanced Function
Szoftveresen programozható blokkírásvédelem
Az akkumulátorral támogatott SRAM-moduloknál jobb
Az akkumulátorral kapcsolatban nincsenek aggályok
Egységes megbízhatóság
Valódi, felületre szerelhető megoldás, nincs javítás
Kiváló nedvesség, ütés és rezgés
Kis teljesítményfelvétel
Aktív áramerősség 7 mA (tip)
Készenléti áram 120 μA (típus)
Alacsony feszültségű működés: VDD = 2,0 V és 3,6 V között
Ipari hőmérséklet: -40 °C és +85 °C között
44 érintkezős vékony kis körvonal csomag (TSOP) II. típus
UB és LB segítségével 256 K x 8 néven konfigurálható
Nagy teherbírású 100 trillió (1014) olvasás/írás
151 éves adatrögzítés (lásd az Adatok visszatartása és tartóssága táblázatot)
NoDelay™ ír
Lapozás üzemmód 30 ns ciklusidőre
Advanced nagy megbízhatóságú ferromelektromos eljárás
SRAM kompatibilis
Szabványos 128 K x 16 SRAM érintkezőkiosztás
60 ns hozzáférési idő, 90 ns ciklusidő
Advanced Function
Szoftveresen programozható blokkírásvédelem
Az akkumulátorral támogatott SRAM-moduloknál jobb
Az akkumulátorral kapcsolatban nincsenek aggályok
Egységes megbízhatóság
Valódi, felületre szerelhető megoldás, nincs javítás
Kiváló nedvesség, ütés és rezgés
Kis teljesítményfelvétel
Aktív áramerősség 7 mA (tip)
Készenléti áram 120 μA (típus)
Alacsony feszültségű működés: VDD = 2,0 V és 3,6 V között
Ipari hőmérséklet: -40 °C és +85 °C között
44 érintkezős vékony kis körvonal csomag (TSOP) II. típus
Far (Ferroelektromos RAM)
A fraim (Ferroelektromos Random Access Memory) egy nem felejtő memória, amely ferroelektromos filmet használ kondenzátorként az adatok tárolásához. A ROM- és RAM-eszközök jellemzőinek birtokában az F-RAM jellemzője a nagy sebességű hozzáférés, az írás módban nagy élettartam, az alacsony energiafogyasztás, az illékonyság és a kiváló szabotázsvédelem. Ezért ideális memória olyan intelligens kártyák számára, amelyeknek magas szintű biztonságra és alacsony áramfogyasztásra, valamint mobiltelefonokra és egyéb eszközökre van szükségük.
Tulajdonság | Érték |
---|---|
Memória mérete | 2Mbit |
Szervezet | 128K x 16 bit |
Interfész típusa | Párhuzamos |
Adatbusz szélessége | 16bit |
Maximális közvetlen elérési idő | 60ns |
Rögzítés típusa | Felületre szerelhető |
Csomag típusa | TSOP |
Tüskék száma | 44 |
Méret | 18.51 x 10.26 x 1.04mm |
Maximális tápfeszültség | 3,6 V |
Maximális működési hőmérséklet | +85 °C |
Minimális tápfeszültség | 2 V |
Min. működési hőmérséklet | -40 °C |
Szavankénti bitszám | 16bit |
Szavak száma | 128K |