AEC-Q100 FRAM memória FM24CL64B-G, Soros 2 eres, soros I2C 64kbit, 8K x 8 bit, 550ns, 2,7 V – 3,65 V, -40 °C és +85 °C
- RS raktári szám:
- 125-4213P
- Gyártó cikkszáma:
- FM24CL64B-G
- Gyártó:
- Infineon
2364 Raktáron van 1 munkanapon belüli szállításra.
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.
Hozzáadva
Ár Darab (rudon)
927 Ft
(ÁFA nélkül)
1 177 Ft
(ÁFÁ-val)
Egység | Per unit |
10 - 38 | 927 Ft |
40 - 98 | 882 Ft |
100 + | 825 Ft |
- RS raktári szám:
- 125-4213P
- Gyártó cikkszáma:
- FM24CL64B-G
- Gyártó:
- Infineon
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
FRAM, Cypress Semiconductor
A Ferroelektromos Véletlen hozzáférésű memória (F-RAM) energiahatékony, és a soros és párhuzamos interfészeken egyaránt a legnagyobb megbízhatósággal rendelkezik a nem felejtő kosoknak. Az A jelű alkatrészeket járműalkalmazásokhoz tervezték, és az AEC-Q100 mellé állnak.
Nemfelejtő Ferroelektromos Ram Memória
Gyors írási sebesség
Nagy teherbírásra
Kis teljesítményfelvétel
Gyors írási sebesség
Nagy teherbírásra
Kis teljesítményfelvétel
64-Kbit-os ferromágneses véletlen hozzáférésű memória (F-RAM) logikailag 8K x 8-as elrendezésben
Nagy teherbírású 100 trillió (1014) olvasás/írás
151 éves adatvisszatartás
NoDelay™ ír
Advanced nagy megbízhatóságú ferromelektromos eljárás
Gyors, kétvezetékes soros interfész (I2C)
Akár 1 MHz frekvencia
Közvetlen hardvercsere a soros (I2C) EEPROM-nál
Támogatja a hagyományos időzítéseket 100 kHz-en és 400 kHz-en
Kis teljesítményfelvétel
100 μA (típus) aktív áram 100 kHz-en
3 μA (tipp) készenléti áram
Feszültségműködés: VDD = 2,7 V - 3,65 V között
Ipari hőmérséklet: -40 °C és +85 °C között
Csomagok
8-tűs kis méretű, integrált áramkörű (SOIC) csomag
8-pólusú vékony kettős lapos vezeték (DFN) csomag
Nagy teherbírású 100 trillió (1014) olvasás/írás
151 éves adatvisszatartás
NoDelay™ ír
Advanced nagy megbízhatóságú ferromelektromos eljárás
Gyors, kétvezetékes soros interfész (I2C)
Akár 1 MHz frekvencia
Közvetlen hardvercsere a soros (I2C) EEPROM-nál
Támogatja a hagyományos időzítéseket 100 kHz-en és 400 kHz-en
Kis teljesítményfelvétel
100 μA (típus) aktív áram 100 kHz-en
3 μA (tipp) készenléti áram
Feszültségműködés: VDD = 2,7 V - 3,65 V között
Ipari hőmérséklet: -40 °C és +85 °C között
Csomagok
8-tűs kis méretű, integrált áramkörű (SOIC) csomag
8-pólusú vékony kettős lapos vezeték (DFN) csomag
Far (Ferroelektromos RAM)
A fraim (Ferroelektromos Random Access Memory) egy nem felejtő memória, amely ferroelektromos filmet használ kondenzátorként az adatok tárolásához. A ROM- és RAM-eszközök jellemzőinek birtokában az F-RAM jellemzője a nagy sebességű hozzáférés, az írás módban nagy élettartam, az alacsony energiafogyasztás, az illékonyság és a kiváló szabotázsvédelem. Ezért ideális memória olyan intelligens kártyák számára, amelyeknek magas szintű biztonságra és alacsony áramfogyasztásra, valamint mobiltelefonokra és egyéb eszközökre van szükségük.
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
---|---|
Memória mérete | 64kbit |
Szervezet | 8K x 8 bit |
Interfész típusa | Soros 2 eres, soros I2C |
Adatbusz szélessége | 8bit |
Maximális közvetlen elérési idő | 550ns |
Rögzítés típusa | Felületre szerelhető |
Csomag típusa | SOIC |
Tüskék száma | 8 |
Méret | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
Hossz | 4.97mm |
Szélesség | 3.98mm |
Maximális tápfeszültség | 3,65 V |
Magasság | 1.48mm |
Maximális működési hőmérséklet | +85 °C |
Járműipari szabvány | AEC-Q100 |
Szavankénti bitszám | 8bit |
Min. működési hőmérséklet | -40 °C |
Minimális tápfeszültség | 2,7 V |
Szavak száma | 8K |