Infineon AEC-Q100 FRAM FM24C04B-G, Soros–I2C (2 eres) 4 kB, 512 x 8 bit, 3000 ns, 85 °C, -40 °C, 8-tüskés, SOIC
- RS raktári szám:
- 188-5395
- Gyártó cikkszáma:
- FM24C04B-G
- Gyártó:
- Infineon
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
- RS raktári szám:
- 188-5395
- Gyártó cikkszáma:
- FM24C04B-G
- Gyártó:
- Infineon
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Infineon | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q100 | |
| Terméktípus | FRAM | |
| Interfész típusa | Soros–I2C (2 eres) | |
| Memória mérete | 4 kB | |
| Szervezet | 512 x 8 bit | |
| Maximális véletlenszerű hozzáférési idő | 3000 ns | |
| Maximális működési hőmérséklet | 85 °C | |
| Min. működési hőmérséklet | -40 °C | |
| Tüskék száma | 8 | |
| Csomag típusa | SOIC | |
| Adatbusz szélessége | 8 bit | |
| Magasság | 1.48 mm | |
| Hossz | 4.97 mm | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Szavankénti bitszám | 8 | |
| Szavak száma | 512 | |
| Szélesség | 3.98 mm | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Infineon | ||
Járműipari szabvány AEC-Q100 | ||
Terméktípus FRAM | ||
Interfész típusa Soros–I2C (2 eres) | ||
Memória mérete 4 kB | ||
Szervezet 512 x 8 bit | ||
Maximális véletlenszerű hozzáférési idő 3000 ns | ||
Maximális működési hőmérséklet 85 °C | ||
Min. működési hőmérséklet -40 °C | ||
Tüskék száma 8 | ||
Csomag típusa SOIC | ||
Adatbusz szélessége 8 bit | ||
Magasság 1.48 mm | ||
Hossz 4.97 mm | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Szavankénti bitszám 8 | ||
Szavak száma 512 | ||
Szélesség 3.98 mm | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- US
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory
Fast write speed
High endurance
Low power consumption
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore Ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Kapcsolódó linkek
- Infineon AEC-Q100 FRAM FM24C04B-GTR 4 kB 10 ns -40 °C SOIC
- Infineon AEC-Q100 FRAM 4 kB 10 ns -40 °C SOIC
- Infineon AEC-Q100 FRAM FM24CL16B-G 2 K x 8 bit 85 °C 8-tüskés, SOIC
- Infineon AEC-Q100 FRAM FM24W256-G 32 K x 8 bit 85 °C 8-tüskés, SOIC
- Infineon AEC-Q100 FRAM FM24CL16B-DG 2 K x 8 bit 85 °C 8-tüskés, DFN
- Infineon AEC-Q100 FRAM 32 K x 8 bit 85 °C 8-tüskés, SOIC
- Infineon AEC-Q100 FRAM 2 K x 8 bit 85 °C 8-tüskés, SOIC
- Infineon AEC-Q100 FRAM 2 K x 8 bit 85 °C 8-tüskés, DFN
