Infineon AEC-Q100 FRAM FM24C04B-G, Soros–I2C (2 eres) 4 kB, 512 x 8 bit, 3000 ns, 85 °C, -40 °C, 8-tüskés, SOIC

Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
RS raktári szám:
188-5395
Gyártó cikkszáma:
FM24C04B-G
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Járműipari szabvány

AEC-Q100

Terméktípus

FRAM

Interfész típusa

Soros–I2C (2 eres)

Memória mérete

4 kB

Szervezet

512 x 8 bit

Maximális véletlenszerű hozzáférési idő

3000 ns

Maximális működési hőmérséklet

85 °C

Min. működési hőmérséklet

-40 °C

Tüskék száma

8

Csomag típusa

SOIC

Adatbusz szélessége

8 bit

Magasság

1.48 mm

Hossz

4.97 mm

Rögzítés típusa

Felület

Szavankénti bitszám

8

Szavak száma

512

Szélesség

3.98 mm

Származási ország (Country of Origin):
US

FRAM, Cypress Semiconductor


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory

Fast write speed

High endurance

Low power consumption

FRAM (Ferroelectric RAM)


FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore Ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.