AEC-Q100 FRAM memória FM24C04B-G, I2C 4kbit, 512 x 8 bit, 3000ns, 4,5 V – 5,5 V, -40 °C és +85 °C között, 8-tüskés, SOIC

A Ferroelektromos Véletlen hozzáférésű memória (F-RAM) energiahatékony, és a soros és párhuzamos interfészeken egyaránt a legnagyobb megbízhatósággal rendelkezik a nem felejtő kosoknak. Az A jelű alkatrészeket járműalkalmazásokhoz tervezték, és az AEC-Q100 mellé állnak.

Nemfelejtő Ferroelektromos Ram Memória
Gyors írási sebesség
Nagy teherbírásra
Kis teljesítményfelvétel

2 Mbit-es ferromelektromosan véletlen hozzáférésű memória (F-RAM) logikailag 128 K x 16-ra van szervezve
UB és LB segítségével 256 K x 8 néven konfigurálható
Nagy teherbírású 100 trillió (1014) olvasás/írás
151 éves adatvisszatartás
NoDelay™ ír
Lapozás üzemmód 30 ns ciklusidőre
Advanced nagy megbízhatóságú ferromelektromos eljárás
SRAM kompatibilis
Szabványos 128 K x 16 SRAM érintkezőkiosztás
60 ns hozzáférési idő, 90 ns ciklusidő
Advanced Function
Szoftveresen programozható blokkírásvédelem
Az akkumulátorral támogatott SRAM-moduloknál jobb
Az akkumulátorral kapcsolatban nincsenek aggályok
Egységes megbízhatóság
Valódi, felületre szerelhető megoldás, nincs javítás
Kiváló nedvesség, ütés és rezgés
Kis teljesítményfelvétel
Aktív áramerősség 7 mA (tip)
Készenléti áram 120 μA (típus)
Alacsony feszültségű működés: VDD = 2,0 V és 3,6 V között
Ipari hőmérséklet: -40 °C és +85 °C között
44 érintkezős vékony kis körvonal csomag (TSOP) II. típus

Far (Ferroelektromos RAM)

A fraim (Ferroelektromos Random Access Memory) egy nem felejtő memória, amely ferroelektromos filmet használ kondenzátorként az adatok tárolásához. A ROM- és RAM-eszközök jellemzőinek birtokában az F-RAM jellemzője a nagy sebességű hozzáférés, az írás módban nagy élettartam, az alacsony energiafogyasztás, az illékonyság és a kiváló szabotázsvédelem. Ezért ideális memória olyan intelligens kártyák számára, amelyeknek magas szintű biztonságra és alacsony áramfogyasztásra, valamint mobiltelefonokra és egyéb eszközökre van szükségük.