- RS raktári szám:
- 124-1406
- Gyártó cikkszáma:
- HGT1S10N120BNST
- Gyártó:
- onsemi
Átmenetileg nincsen raktáron – várhatóan ezen a napon lesz újra szállítható: 2024.08.13. A szállítás 4 munkanapot vesz igénybe.
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.
Hozzáadva
Ár Darab (800 egy tekercsen)
774 Ft
(ÁFA nélkül)
983 Ft
(ÁFÁ-val)
Egység | Per unit | orsónként* |
800 + | 774 Ft | 618 880 Ft |
*ár |
- RS raktári szám:
- 124-1406
- Gyártó cikkszáma:
- HGT1S10N120BNST
- Gyártó:
- onsemi
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Diszkrét IGBT-k, 1000 V-os és efölötti Fairchild Semiconductor
IGBT diszkrét és modulok, Fairchild Semiconductor
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
---|---|
Maximális folyamatos kollektoráram | 80 A |
Maximális kollektor kibocsátó feszültség | 1200 V |
Maximális kapu kibocsátó feszültség | ±20V |
Maximális teljesítménydisszipáció | 298 W |
Csomag típusa | D2PAK (TO-263) |
Rögzítés típusa | Felületre szerelhető |
Csatorna típusa | N |
Tüskék száma | 3 |
Kapcsolási sebesség | 1MHz |
Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
Méret | 10.67 x 11.33 x 4.83mm |
Min. működési hőmérséklet | -55 °C |
Maximális működési hőmérséklet | +150 °C |
- RS raktári szám:
- 124-1406
- Gyártó cikkszáma:
- HGT1S10N120BNST
- Gyártó:
- onsemi