ON Semiconductor FGA30S120P IGBT N-csatornás, 60 A, 1300 V, 3-tüskés, TO-3PN Egyszeres

Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
RoHS követelményeknek megfelelő
Termékadatok

Diszkrét IGBT-k, 1000 V-os és efölötti Fairchild Semiconductor

IGBT diszkrét és modulok, Fairchild Semiconductor

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Jellemzők
Tulajdonság Érték
Maximális folyamatos kollektoráram 60 A
Maximális kollektor kibocsátó feszültség 1300 V
Maximális kapu kibocsátó feszültség ±25V
Maximális teljesítménydisszipáció 348 W
Csomag típusa TO-3PN
Rögzítés típusa Furatszerelt
Csatorna típusa N
Tüskék száma 3
Tranzisztorkonfiguráció Egyszeres
Hossz 15.8mm
Szélesség 5mm
Magasság 20.1mm
Méret 15.8 x 5 x 20.1mm
Min. működési hőmérséklet -55 °C
Maximális működési hőmérséklet +175 °C
Átmenetileg nincsen raktáron – várhatóan ezen a napon lesz újra szállítható: 2020.12.30. A szállítás 2 munkanapot vesz igénybe.
Ár Darab (egy rudon 30)
952 Ft
(ÁFA nélkül)
1 209 Ft
(ÁFÁ-val)
egység
Per unit
csövenként*
30 +
952 Ft
28 563 Ft
*ár
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.