onsemi FGH60T65SQD-F155 IGBT P-csatornás, 60 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 G03 1 Egyszeres

Az újszerű, az elektromos mezőt megszüntető (ún. field-stop) IGBT technológia használatával az ON Semiconductor 4. generációs, az elektromos mezőt megszüntető IGBT-tranzisztorainak új sorozata optimális teljesítményt kínál az olyan napelemes inverterekhez, szünetmentes tápegységekhez, hegesztőgépekhez, távközlési eszközökhöz, elektronikus kapcsolórendszerekhez és PFC-alkalmazásokhoz, amelyeknél a kis vezetési és kapcsolási veszteség alapvető fontosságú.

pn-átmenet maximális hőmérséklete: TJ = 175 °C
Pozitív hőmérsékleti együttható az egyszerű párhuzamos működtetésért
Nagy áramterhelés
Kis telítési feszültség: VCE(tel.) =1,6 V (jell.) IC = 60 A esetén
Nagy bemeneti impedancia
Gyors kapcsolás
Szűkebb paramétereloszlás
Alkalmazások
Napelemes inverter, szünetmentes tápegység, hegesztőgép, távközlési eszköz, elektronikus kapcsolórendszer, PFC