- RS raktári szám:
- 601-2807
- Gyártó cikkszáma:
- GT30J322(Q)
- Gyártó:
- Toshiba
Raktáron van 6 munkanapon belüli szállításra.
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.
Hozzáadva
Ár Darab
1 248 Ft
(ÁFA nélkül)
1 585 Ft
(ÁFÁ-val)
Egység | Per unit |
1 - 24 | 1 248 Ft |
25 - 99 | 1 061 Ft |
100 - 249 | 936 Ft |
250 - 499 | 811 Ft |
500 + | 706 Ft |
- RS raktári szám:
- 601-2807
- Gyártó cikkszáma:
- GT30J322(Q)
- Gyártó:
- Toshiba
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
- Származási ország (Country of Origin):
- JP
Termékadatok
IGBT diszkrét Toshiba
IGBT diszkrét modulok és modulok, Toshiba
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
---|---|
Maximális folyamatos kollektoráram | 30 A |
Maximális kollektor kibocsátó feszültség | 600 V |
Maximális kapu kibocsátó feszültség | ±20V |
Csomag típusa | TO-3PNIS |
Rögzítés típusa | Furatszerelt |
Csatorna típusa | N |
Tüskék száma | 3 |
Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
Méret | 15.8 x 5 x 21mm |
Maximális működési hőmérséklet | +150 °C |
- RS raktári szám:
- 601-2807
- Gyártó cikkszáma:
- GT30J322(Q)
- Gyártó:
- Toshiba