STMicroelectronics STGW30V60DF IGBT N-csatornás, 30 A, 600 V, 1MHz, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres

Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
RoHS követelményeknek megfelelő
Termékadatok

IGBT diszkrét, STMicroelectronics

IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Jellemzők
Tulajdonság Érték
Maximális folyamatos kollektoráram 30 A
Maximális kollektor kibocsátó feszültség 600 V
Maximális kapu kibocsátó feszültség ±20V
Maximális teljesítménydisszipáció 258 W
Csomag típusa TO-247
Rögzítés típusa Furatszerelt
Csatorna típusa N
Tüskék száma 3
Kapcsolási sebesség 1MHz
Tranzisztorkonfiguráció Egyszeres
Hossz 15.75mm
Szélesség 5.15mm
Magasság 20.15mm
Méret 15.75 x 5.15 x 20.15mm
Maximális működési hőmérséklet +175 °C
Min. működési hőmérséklet -55 °C
10 Raktáron van 1 munkanapon belüli szállításra
Ár Darab (5 darabos csomagbol)
931 Ft
(ÁFA nélkül)
1 182 Ft
(ÁFÁ-val)
egység
Per unit
csomagonként*
5 - 20
931 Ft
4 654 Ft
25 - 45
860 Ft
4 298 Ft
50 - 120
814 Ft
4 068 Ft
125 - 245
768 Ft
3 838 Ft
250 +
732 Ft
3 659 Ft
*ár
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.
Csomagolás típusa: