STMicroelectronics STGW60H65DFB IGBT N-csatornás, 80 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres

Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
RoHS követelményeknek megfelelő
Termékadatok

IGBT diszkrét, STMicroelectronics

IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Jellemzők
Tulajdonság Érték
Maximális folyamatos kollektoráram 80 A
Maximális kollektor kibocsátó feszültség 650 V
Maximális kapu kibocsátó feszültség ±20V
Maximális teljesítménydisszipáció 375 W
Csomag típusa TO-247
Rögzítés típusa Furatszerelt
Csatorna típusa N
Tüskék száma 3
Tranzisztorkonfiguráció Egyszeres
Hossz 15.75mm
Szélesség 5.15mm
Magasság 20.15mm
Méret 15.75 x 5.15 x 20.15mm
Min. működési hőmérséklet -55 °C
Maximális működési hőmérséklet +175 °C
562 Raktáron van 2 munkanapon belüli szállításra
Ár Darab
1 479 Ft
(ÁFA nélkül)
1 878 Ft
(ÁFÁ-val)
egység
Per unit
1 - 4
1 479 Ft
5 - 9
1 438 Ft
10 +
1 371 Ft
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.
Csomagolás típusa: