Toshiba GT30J121 IGBT N-csatornás, 30 A, 600 V, 1MHz, 3-tüskés, TO-3P Egyszeres
- RS raktári szám:
- 796-5058
- Gyártó cikkszáma:
- GT30J121
- Gyártó:
- Toshiba
3 raktáron van a következő munkanapon való szállításra, ha a megrendelést 16:00 óra előtt feladják.
70 további szállítása 1 munkanapon belül.
Hozzáadva
Ár Darab
1 404 Ft
(ÁFA nélkül)
1 783 Ft
(ÁFÁ-val)
| Egység | Per unit |
| 1 - 24 | 1 404 Ft |
| 25 - 49 | 1 334 Ft |
| 50 - 199 | 1 256 Ft |
| 200 - 399 | 1 123 Ft |
| 400 + | 1 049 Ft |
- RS raktári szám:
- 796-5058
- Gyártó cikkszáma:
- GT30J121
- Gyártó:
- Toshiba
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
IGBT diszkrét Toshiba
IGBT diszkrét modulok és modulok, Toshiba
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
|---|---|
| Maximális folyamatos kollektoráram | 30 A |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség | 600 V |
| Maximális kapu kibocsátó feszültség | ±20V |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 170 W |
| Csomag típusa | TO-3P |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt |
| Csatorna típusa | N |
| Tüskék száma | 3 |
| Kapcsolási sebesség | 1MHz |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
| Méret | 15.9 x 4.8 x 20mm |
| Maximális működési hőmérséklet | +150 °C |
- RS raktári szám:
- 796-5058
- Gyártó cikkszáma:
- GT30J121
- Gyártó:
- Toshiba