onsemi HGT1S10N120BNST IGBT N-csatornás, 80 A, 1200 V, 1MHz, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres
- RS raktári szám:
- 807-6660
- Gyártó cikkszáma:
- HGT1S10N120BNST
- Gyártó:
- onsemi
Átmenetileg nincsen raktáron – várhatóan ezen a napon lesz újra szállítható: 2024.08.19. A szállítás 4 munkanapot vesz igénybe.
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.
Hozzáadva
Ár Darab (2 darabos csomagbol)
1 498 Ft
(ÁFA nélkül)
1 902 Ft
(ÁFÁ-val)
| Egység | Per unit | csomagonként* |
| 2 - 6 | 1 498 Ft | 2 995 Ft |
| 8 - 38 | 1 332 Ft | 2 664 Ft |
| 40 - 198 | 1 182 Ft | 2 363 Ft |
| 200 - 398 | 1 022 Ft | 2 044 Ft |
| 400 + | 893 Ft | 1 786 Ft |
| *ár | ||
- RS raktári szám:
- 807-6660
- Gyártó cikkszáma:
- HGT1S10N120BNST
- Gyártó:
- onsemi
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Diszkrét IGBT-k, 1000 V-os és efölötti Fairchild Semiconductor
IGBT diszkrét és modulok, Fairchild Semiconductor
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
|---|---|
| Maximális folyamatos kollektoráram | 80 A |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség | 1200 V |
| Maximális kapu kibocsátó feszültség | ±20V |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 298 W |
| Csomag típusa | D2PAK (TO-263) |
| Rögzítés típusa | Felületre szerelhető |
| Csatorna típusa | N |
| Tüskék száma | 3 |
| Kapcsolási sebesség | 1MHz |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
| Méret | 10.67 x 11.33 x 4.83mm |
| Maximális működési hőmérséklet | +150 °C |
| Min. működési hőmérséklet | -55 °C |