MOSFET kapu meghajtó IR35411MTRPBFAUMA1, 60 A, 4.25 → 16V, PQFN

A Infineon integrált teljesítményfokozat a legtöbb Advanced alacsony feszültségű MOSFET technológiát ötvözi a legújabb meghajtókialakítással. Ez az integráció a driver technológia, FET technológia és csomag technológia is bizonyítja a hatékony kombinációja Infineon és a nemzetközi egyenirányító képességeit. A kétélű díszítőelem holtideje jelentősen javítja a Peak hatékonyságát. A beépített hőmérséklet-kompenzációval ellátott belső MOSFET RDS(be) áramérzékelés (külön Kelvin GND csatlakozáson keresztül) kiemelkedő áramérzékelő pontosságot biztosít a DCR SENSE induktorokhoz képest.

Kis méretű, mm³ x 6 x 0.9 5-es, túlöntött PQFN tokozás, 0.45 mm-es osztásköz
Rendkívül pontos aktuális jelentés
Programozható állandó áram határérték OCTET
Gyors kapcsolási technológia a nagyobb frekvencia és a jobb Peak hatékonyság érdekében
Bemeneti feszültségtartomány: 4.25 V – 16 V
Kimeneti feszültségtartomány: 0.25 V és 5.5 V között
A kimeneti áramerősség 60 a
Akár 1.5 MHz-es működés
5 V-os meghajtásra optimalizálva