MOSFET kapu meghajtó NCP51561DBDWR2G, 5V, 16-tüskés, SOIC

AZ ON Semiconductor izolált nagy áramú IGBT/MOSFET kapu meghajtó nagy áramú egycsatornás. IGBT/MOSFET kapumeghajtók 5 kVrms belső galvanikus szigeteléssel, nagy rendszerhatékonyságra és megbízhatóságra tervezve nagy teljesítményű alkalmazásokban. Az eszközök kiegészítő bemeneteket fogadnak el, és a PIN konfigurációjától függően olyan opciókat kínálnak, mint az Active Miller Clamp (A/D/F verzió), a negatív tápegység (B verzió) és a különálló magas és alacsony (OUTH és OUTL) meghajtó kimenetek (C/e verzió) a rendszer tervezésének kényelme érdekében. A vezető a bemeneti előfeszültség és jelszintek széles tartományát képes befogadni 3,3V és 20V között, és széles test SOIC-8 csomagban kaphatók.

Nagy Peak kimeneti áram (+6,5 A/–6,5 A)
Az alacsony szorítófeszültség-esés miatt nincs szükség negatív tápfeszültségre a kamraajtó hibás bekapcsolásának megakadályozása érdekében (A/D/F változat)
Rövid terjedési késleltetések pontos egyezéssel
IGBT/MOSFET kapu rögzítése rövidzárlat közben
IGBT/MOSFET kapu aktív lehúzás
Szűk UVLO küszöbértékek a Bias rugalmasságának érdekében
Széles feszültségtartomány negatív VEE2 V-os feszültségtartománnyal (B változat)
3,3 V, 5 V és 15 V logikai bemenet
5 kVrms galvanikus leválasztás
Magas tranziens immunitás
Magas elektromágneses immunitás