MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 200 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si
- RS raktári szám:
- 193-616
- Gyártó cikkszáma:
- IXFN140N20P
- Gyártó:
- IXYS
2 Raktáron van 1 munkanapon belüli szállításra.
Hozzáadva
Ár Darab
11 193 Ft
(ÁFA nélkül)
14 215 Ft
(ÁFÁ-val)
| Egység | Per unit |
| 1 - 4 | 11 193 Ft |
| 5 + | 9 454 Ft |
- RS raktári szám:
- 193-616
- Gyártó cikkszáma:
- IXFN140N20P
- Gyártó:
- IXYS
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat
N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
MOSFET tranzisztorok, IXYS
Advanced Power MOSFET eszközök széles választéka az IXYS számítógépektől
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
|---|---|
| Csatorna típusa | N |
| Maximális folyamatos nyelőáram | 115 A |
| Maximális nyelő forrásfeszültség | 200 V |
| Csomag típusa | SOT-227 |
| Sorozat | HiperFET, Polar |
| Rögzítés típusa | Csavaros rögzítés |
| Tüskék száma | 4 |
| Maximális nyelő forrásellenállás | 18 mΩ |
| Csatorna mód | Növekményes |
| Maximális kapu küszöbfeszültség | 5V |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 680 W |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
| Maximális kapu forrásfeszültség | -20 V, +20 V |
| Tranzisztor anyaga | Si |
| Maximális működési hőmérséklet | +175 °C |
| Elemek száma chipenként | 1 |
| Szélesség | 25.42mm |
| Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél | 240 nC 10 V esetén |
| Hossz | 38.23mm |
| Min. működési hőmérséklet | -55 °C |
| Magasság | 9.6mm |
- RS raktári szám:
- 193-616
- Gyártó cikkszáma:
- IXFN140N20P
- Gyártó:
- IXYS