MOSFET, 1 elem/chip, 323 A, 80 V, 9-tüskés, PG-TTFN-9 OptiMOS SiC

Az Infineon MOSFET OptiMOS 5 teljesítménytranzisztort úgy tervezték, hogy fejlett N-csatornás kialakításával kivételes teljesítményt nyújtson. Ez a robusztus alkatrész kiválóan alkalmas olyan alkalmazásokhoz, ahol a nagy hatékonyság és az alacsony ellenállás a legfontosabb. A 80 V-os átütési feszültséggel működő készülék megbízható működést biztosít igényes környezetben is. A kiváló hőellenállási profilnak köszönhetően ez a teljesítménytranzisztor ellenáll az ipari alkalmazások igénybevételének, így az energiagazdálkodási rendszerek energiahatékonyságát növelni kívánó mérnökök számára a legmegfelelőbb megoldás. A kiterjedt validálási folyamat garantálja továbbá a megbízhatóság és biztonság legmagasabb szintű szabványainak betartását, biztosítva, hogy a tervei egyszerre legyenek hatékonyak és rugalmasak.

N-csatorna a hatékony tápellátás érdekében
Alacsony ellenállás minimalizálja az energiaveszteséget
Kiváló hőkezelés a hosszú élettartam érdekében
100%-ban lavinatesztelt stabilitás
Pb-mentes és RoHS-kompatibilis
Halogénmentes konstrukció a biztonság érdekében
JEDEC minősítés ipari alkalmazásokhoz