MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 900 V, 3-tüskés, TO-3PN 2SK Egyszeres Si

RS raktári szám:: 415-354P
Gyártó cikkszáma:: 2SK3878(F)
Gyártó:: Toshiba

MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 900 V, 3-tüskés, TO-3PN 2SK Egyszeres Si

Megszüntetett termék

RS raktári szám:: 415-354P
Gyártó cikkszáma:: 2SK3878(F)
Gyártó:: Toshiba

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	9 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	900 V
Sorozat	2SK
Csomag típusa	TO-3PN
Rögzítés típusa	Furatszerelt
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	1.3 Ω
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	4V
Maximális teljesítménydisszipáció	150 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-30 V, +30 V
Elemek száma chipenként	1
Szélesség	4.8mm
Hossz	15.9mm
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Tranzisztor anyaga	Si
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	60 nC 10 V esetén
Magasság	19mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C

MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 900 V, 3-tüskés, TO-3PN 2SK Egyszeres Si

MOSFET N-csatornás, 2SK sorozatú Toshiba