MOSFET, 1 elem/chip, 180 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
- RS raktári szám:
- 495-578
- Gyártó cikkszáma:
- IRFB4110PBF
- Gyártó:
- Infineon
Összevont kedvezmény elérhető
Részösszeg (1 egység)*
824 Ft
(ÁFA nélkül)
1046 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 15 000,00 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- 113 egység szállításra kész
- További 290 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 1 - 9 | 824 Ft |
| 10 - 24 | 784 Ft |
| 25 - 49 | 768 Ft |
| 50 - 99 | 716 Ft |
| 100 + | 668 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 495-578
- Gyártó cikkszáma:
- IRFB4110PBF
- Gyártó:
- Infineon
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Infineon | |
| Csatorna típusa | N | |
| Maximális folyamatos nyelőáram | 180 A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség | 100 V | |
| Csomag típusa | TO-220AB | |
| Series | HEXFET | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás | 4.5 hó | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Maximális kapu küszöbfeszültség | 4V | |
| Minimális kapu küszöbfeszültség | 2V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 370 W | |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres | |
| Maximális kapu forrásfeszültség | -20 V, +20 V | |
| Maximális működési hőmérséklet | +175 °C | |
| Tranzisztor anyaga | Si | |
| Elemek száma chipenként | 1 | |
| Hossz | 10.66mm | |
| Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél | 150 nC 10 V esetén | |
| Szélesség | 4.82mm | |
| Magasság | 9.02mm | |
| Nyitóirányú diódafeszültség | 1.3V | |
| Min. működési hőmérséklet | -55 °C | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Infineon | ||
Csatorna típusa N | ||
Maximális folyamatos nyelőáram 180 A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség 100 V | ||
Csomag típusa TO-220AB | ||
Series HEXFET | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Tüskék száma 3 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás 4.5 hó | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Maximális kapu küszöbfeszültség 4V | ||
Minimális kapu küszöbfeszültség 2V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció 370 W | ||
Tranzisztorkonfiguráció Egyszeres | ||
Maximális kapu forrásfeszültség -20 V, +20 V | ||
Maximális működési hőmérséklet +175 °C | ||
Tranzisztor anyaga Si | ||
Elemek száma chipenként 1 | ||
Hossz 10.66mm | ||
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél 150 nC 10 V esetén | ||
Szélesség 4.82mm | ||
Magasság 9.02mm | ||
Nyitóirányú diódafeszültség 1.3V | ||
Min. működési hőmérséklet -55 °C | ||
Motorvezérlés és AC-DC szinkronkapcsoló MOSFET, Infineon
MOSFET motorvezérlés
Az Infineon átfogó termékkínálattal rendelkezik a robusztus N-csatornás és a P-csatornás MOSFET-eszközök között a motorvezérlő alkalmazásokhoz.
Kombinált Rectifier MOSFET
A szinkron, hibajavító MOSFET-eszközök AC-DC tápellátáshoz való választéka támogatja az ügyfélnek a nagyobb teljesítménysűrűséggel, kisebb mérettel, nagyobb hordozhatósággal és rugalmasabb rendszerekkel szemben támasztott igényeit.
Infineon HEXFET sorozatú MOSFET, 180A maximális folyamatos lefolyóáram, 370W maximális teljesítményleadás - IRFB4110PBF
Ez a MOSFET hatékony teljesítménytranzisztorként szolgál, amely az automatizálási, elektronikai és elektromos iparágak alkalmazásaira szabott. Robusztus felépítése és pontos specifikációi sokoldalú megoldást nyújtanak olyan alkalmazásokhoz, ahol a hatékonyság és a megbízhatóság alapvető fontosságú. Az erősítő üzemmódú kialakítással és N-csatornás konfigurációval nagy sebességű kapcsolási műveletekre alkalmas.
Jellemzők és előnyök
• A 180A maximális folyamatos lefolyóáram támogatja a nagy teljesítményt
• A 100V-os Drain-to-Source feszültségtartomány lehetővé teszi a különböző alkalmazások használatát
• Az alacsony, 4,5mΩ RDS(on) csökkenti a teljesítményveszteséget és növeli a hatékonyságot
• Az akár 370 W-os teljesítményleadási képesség biztosítja a stabilitást
• A jobb termikus jellemzők elősegítik a megbízhatóságot szélsőséges körülmények között is
• A lavina és a dinamikus dv/dt robusztusság teljes körű jellemzése elősegíti a tartósságot
• A 100V-os Drain-to-Source feszültségtartomány lehetővé teszi a különböző alkalmazások használatát
• Az alacsony, 4,5mΩ RDS(on) csökkenti a teljesítményveszteséget és növeli a hatékonyságot
• Az akár 370 W-os teljesítményleadási képesség biztosítja a stabilitást
• A jobb termikus jellemzők elősegítik a megbízhatóságot szélsőséges körülmények között is
• A lavina és a dinamikus dv/dt robusztusság teljes körű jellemzése elősegíti a tartósságot
Alkalmazások
• Nagy hatékonyságú szinkron egyenirányításban alkalmazott tápegységeknél
• Alkalmas szünetmentes tápellátó rendszerekhez
• Ideális nagysebességű tápkapcsoló áramkörökhöz
• Keményen kapcsolt és nagyfrekvenciás áramkörökben alkalmazható
• Alkalmas szünetmentes tápellátó rendszerekhez
• Ideális nagysebességű tápkapcsoló áramkörökhöz
• Keményen kapcsolt és nagyfrekvenciás áramkörökben alkalmazható
Mi a megfelelő üzemi hőmérséklet-tartomány az optimális teljesítményhez?
Hatékonyan működik -55°C és +175°C között, így a különböző környezetekben is biztosítja a működőképességet.
Hogyan minimalizálja a MOSFET az energiaveszteséget az áramkörökben?
Az alacsony, 4,5mΩ RDS(on) jelentősen csökkenti a vezetési veszteségeket, lehetővé téve a hatékony működést a teljesítményelektronikában.
Használható-e nagyfrekvenciás alkalmazásokban?
Igen, a kialakítása megkönnyíti a nagy sebességű kapcsolást, így alkalmas a gyors be- és kikapcsolást igénylő alkalmazásokhoz.
Milyen hőellenállási értékek szükségesek a megfelelő szereléshez?
Az elágazás és a ház közötti hőellenállás 0,402°C/W, míg a ház és az aljzat közötti ellenállás 0,50°C/W, ami lehetővé teszi a hatékony hőelvezetést.
MOSFET tranzisztorok Infineon
Az Infineon MOSFET-eszközök széles és átfogó választékát kínálja, amelyek a CoolMOS, OptiMOS és StrongIRFET termékcsaládokat is tartalmazzák. Kategóriájában a legjobb teljesítményt nyújtják nagyobb hatékonyság, energiahatékonyság és költséghatékonyság érdekében. A kiváló minőséget és fejlett védelmet igénylő modellek az AEC-Q101 ipari szabványoknak megfelelő autóipari szabványú MOSFET-ek előnyeit kínálják.
Kapcsolódó linkek
- MOSFET 180 A 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
- MOSFET 180 A 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si
- MOSFET 180 A 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
- MOSFET 180 A 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres
- MOSFET 180 A 7-tüskés, D2PAK-7 OptiMOS™ 3 Egyszeres Si
- MOSFET 180 A 3-tüskés, TO-220 STripFET H7 Egyszeres Si
- MOSFET 180 A 3-tüskés, H2PAK-2 STripFET H7 Egyszeres Si
- MOSFET 180 A 7-tüskés, H2PAK-6 STripFET H7 Egyszeres Si
