MOSFET, 1 elem/chip, 43 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS 3 Egyszeres Si

RS raktári szám:: 145-8721
Gyártó cikkszáma:: IPP180N10N3GXKSA1
Gyártó:: Infineon

MOSFET, 1 elem/chip, 43 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS 3 Egyszeres Si

650 Raktáron van 1 munkanapon belüli szállításra.

Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.

Hozzáadva

Ár Darab (egy rudon 50)

348 Ft

(ÁFA nélkül)

442 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Per unit	csövenként*
50 - 50	348 Ft	17 395 Ft
100 +	327 Ft	16 350 Ft
*ár

RS raktári szám:: 145-8721
Gyártó cikkszáma:: IPP180N10N3GXKSA1
Gyártó:: Infineon

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Származási ország (Country of Origin):: CN

Termékadatok

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

MOSFET tranzisztorok Infineon

Az Infineon MOSFET-eszközök széles és átfogó választékát kínálja, amelyek a CoolMOS, OptiMOS és StrongIRFET termékcsaládokat is tartalmazzák. Kategóriájában a legjobb teljesítményt nyújtják nagyobb hatékonyság, energiahatékonyság és költséghatékonyság érdekében. A kiváló minőséget és fejlett védelmet igénylő modellek az AEC-Q101 ipari szabványoknak megfelelő autóipari szabványú MOSFET-ek előnyeit kínálják.

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	43 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	100 V
Sorozat	OptiMOS 3
Csomag típusa	TO-220
Rögzítés típusa	Furatszerelt
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	33 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	3.5V
Minimális kapu küszöbfeszültség	2V
Maximális teljesítménydisszipáció	71 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Tranzisztor anyaga	Si
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	19 nC 10 V esetén
Hossz	10.36mm
Elemek száma chipenként	1
Maximális működési hőmérséklet	+175 °C
Szélesség	4.57mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Magasság	15.95mm
Nyitóirányú diódafeszültség	1.2V

RS raktári szám:: 145-8721
Gyártó cikkszáma:: IPP180N10N3GXKSA1
Gyártó:: Infineon