MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 X2-Class Egyszeres Si

RS raktári szám:: 146-1778
Gyártó cikkszáma:: IXTP4N65X2
Gyártó:: IXYS

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 X2-Class Egyszeres Si

Átmenetileg nincsen raktáron – várhatóan ezen a napon lesz újra szállítható: 2024.11.19. A szállítás 4 munkanapot vesz igénybe.

Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.

Hozzáadva

Ár Darab (egy rudon 50)

823 Ft

(ÁFA nélkül)

1 046 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Per unit	csövenként*
50 +	823 Ft	41 170 Ft
*ár

RS raktári szám:: 146-1778
Gyártó cikkszáma:: IXTP4N65X2
Gyártó:: IXYS

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Származási ország (Country of Origin):: US

Termékadatok

N-csatornás MOSFET, IXYS X2-osztályú sorozat

Az IXYS X2 osztályú Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel rendelkeznek, ami csökkent veszteséget és jobb működési hatékonyságot eredményez. Ezek a megerősített készülékek belső diódával rendelkeznek, és alkalmasak mind a kemény kapcsolású, mind a rezonáns módú alkalmazásokhoz. Az X2 osztályú teljesítmény MOSFET-ek a különböző iparági szabványnak megfelelő csomagolásban érhetők el, beleértve az izolált típusokat is, amelyek legénységi teljesítménye legfeljebb 120 A lehet 650V-nál Jellemző felhasználási területek: DC-DC átalakítók, AC és DC motormeghajtók, kapcsolási üzemmód és rezonáns üzemmódú tápegységek, DC-Koppantók, napinverterek, hőmérséklet- és világításvezérlés.

Nagyon alacsony RDS(on) és QG (kapufeltöltés)
Belső egyenirányító dióda
Alacsony belső kapu ellenállás
Alacsony csomag-induktivitás
Iparági szabványnak megfelelő csomagolás

MOSFET tranzisztorok, IXYS

Advanced Power MOSFET eszközök széles választéka az IXYS számítógépektől

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	4 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	650 V
Csomag típusa	TO-220
Sorozat	X2-Class
Rögzítés típusa	Furatszerelt
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	850 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	5V
Minimális kapu küszöbfeszültség	3V
Maximális teljesítménydisszipáció	80 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-30 V, +30 V
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Elemek száma chipenként	1
Szélesség	15.9mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	8,3 nC 10 V esetén
Hossz	10.3mm
Tranzisztor anyaga	Si
Nyitóirányú diódafeszültség	1.4V
Magasság	4.7mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C

RS raktári szám:: 146-1778
Gyártó cikkszáma:: IXTP4N65X2
Gyártó:: IXYS