MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 UniFET Egyszeres Si

RS raktári szám:: 146-2019
Gyártó cikkszáma:: FDH44N50
Gyártó:: onsemi

MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 UniFET Egyszeres Si

Kategória megtekintése

Ez a termék jelenleg nem elérhető utánrendeléshez.

Sajnos ez a termék nincs raktáron, és jelenleg nem áll rendelkezésre utánrendelésre.

Ár Darab (egy rudon 30)

2 674 Ft

(ÁFA nélkül)

3 396 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Egységenként	csövenként*
30 +	2 674 Ft	80 211 Ft

*ár

RS raktári szám:: 146-2019
Gyártó cikkszáma:: FDH44N50
Gyártó:: onsemi

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

UnilFET™ N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor

A UniverFET™ MOSFET a Fairchild Semiconductor nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládja. A legkorszerűbb MOSFET-ek között a legkisebb ellenállási erő, valamint kiváló kapcsolási teljesítmény és nagyobb lavinaenergia-erő jellemzi. Ezen kívül a belső Gate-source ESD dióda lehetővé teszi, hogy az UnFET-II™ MOSFET elviselje a 2000 V feletti HBM túlfeszültséget.
Az UniFET™ MOSFET-ek alkalmasak teljesítmény-konverter alkalmazások, például teljesítménytényező-korrekció (PFC), síkképernyős kijelző (FPD) TV-tápellátás, ATX (Advanced Technology bővített) és elektronikus fénycsőelőtétek kapcsolására.

MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS

A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	44 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	500 V
Csomag típusa	TO-247
Sorozat	UniFET
Rögzítés típusa	Furatszerelt
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	120 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség	2V
Maximális teljesítménydisszipáció	750 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-30 V, +30 V
Maximális működési hőmérséklet	+175 °C
Elemek száma chipenként	1
Szélesség	4.82mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	90 nC 10 V esetén
Hossz	15.87mm
Tranzisztor anyaga	Si
Magasság	20.82mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Nyitóirányú diódafeszültség	1.2V