MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 650 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres

RS raktári szám:: 146-4241
Gyártó cikkszáma:: IXFN170N65X2
Gyártó:: IXYS

MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 650 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres

Átmenetileg nincsen raktáron – várhatóan ezen a napon lesz újra szállítható: 2025.05.06. A szállítás 4 munkanapot vesz igénybe.

Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.

Hozzáadva

Kosár megtekintése

Ár Darab (egy rudon 10)

17 368 Ft

(ÁFA nélkül)

22 057 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Per unit	csövenként*
10 +	17 368 Ft	173 679 Ft
*ár

RS raktári szám:: 146-4241
Gyártó cikkszáma:: IXFN170N65X2
Gyártó:: IXYS

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Alacsony RDS(ON) és Qg
Gyors testdióda
dv/dt tartósság
Minősített lavinahatás
Alacsony csomaginduktivitás
Nemzetközi szabványnak megfelelő csomagolás
Rezonáns mód tápellátás
Nagy intenzitású kisülésű (HID) lámpa ballaszt
AC és DC motorvezérlők
DC-DC átalakítók
Robot és szervó vezérlés
Akkumulátortöltők
3-szintű napelem-inverterek
LED világítás
Pilóta nélküli légijárművek (UAVs)
Nagyobb hatékonyság
Nagy teljesítménysűrűség
Könnyű felszerelhetőség
Helytakarékos

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	170 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	650 V
Csomag típusa	SOT-227
Sorozat	HiperFET
Rögzítés típusa	Csavaros rögzítés
Tüskék száma	4
Maximális nyelő forrásellenállás	13 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	5V
Minimális kapu küszöbfeszültség	3.5V
Maximális teljesítménydisszipáció	1,17 kW
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	±30 V
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Elemek száma chipenként	1
Szélesség	25.07mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	434 nC 10 V esetén
Hossz	38.23mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Magasság	9.6mm
Nyitóirányú diódafeszültség	1.4V

RS raktári szám:: 146-4241
Gyártó cikkszáma:: IXFN170N65X2
Gyártó:: IXYS