MOSFET, 1 elem/chip, 3,2 A, 20 V, 4-tüskés, DFN1010D-3 Egyszeres

N-csatornás MOSFET-ek ≤ 20 V – Szerezze be az optimális kapcsolási megoldást hordozható terveihez. Válasszon a legfeljebb 20 V-os, szimpla és dupla, N-csatornás MOSFET-eink közül. Kiváló megbízhatóság a bizonyított TrenchMOS- és csomagolási technológiánknak köszönhetően. Az egyszerűen használható, alacsony feszültségű MOSFET-jeinket kifejezetten az alacsony vezérlési feszültségű hordozható alkalmazások igényeinek kielégítésére tervezték.

20 V-os, N-csatornás Trench MOSFET – Az N-csatornás kiterjesztési módú, térvezérlésű tranzisztor (FET) egy rendkívül kis méretű, vezetékmentes DFN1010D-3 (SOT1215) SMD (felületre szerelhető eszköz) műanyag csomagolásban kapható, és a Trench MOSFET technológiát alkalmazza.

Trench MOSFET technológia
Vezetékmentes, kicsi és vékony SMD műanyag csomagolás: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Szabadon álló elvezető párna a kiváló hővezetésért
Nagyon alacsony elvezetőforrás ellenállása bekapcsolt állapotban: RDSon = 42 mΩ
1 kV-os ESD-védelem
Alacsony oldalú terheléskapcsoló és töltéskapcsoló hordozható eszközökhöz
Energiagazdálkodás akkumulátoros hordozható eszközöknél
LED meghajtó
DC-DC átalakítók