MOSFET, 1 elem/chip, 11,5 A, 900 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC

RS raktári szám:: 162-9714
Gyártó cikkszáma:: C3M0280090D
Gyártó:: Wolfspeed

MOSFET, 1 elem/chip, 11,5 A, 900 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC

640 Raktáron van 4 munkanapon belüli szállításra.

Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.

Ár Darab (egy rudon 30)

1 666 Ft

(ÁFA nélkül)

2 115 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Egységenként	csövenként*
30 - 120	1 666 Ft	49 968 Ft
150 - 270	1 622 Ft	48 669 Ft
300 +	1 582 Ft	47 466 Ft

RS raktári szám:: 162-9714
Gyártó cikkszáma:: C3M0280090D
Gyártó:: Wolfspeed

C3M0280090D Silicon Carbide Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	11,5 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	900 V
Csomag típusa	TO-247
Rögzítés típusa	Furatszerelt
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	360 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	3.5V
Minimális kapu küszöbfeszültség	1.8V
Maximális teljesítménydisszipáció	54 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-8 V, +18 V
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Elemek száma chipenként	1
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	9,5 nC 15 V esetén
Hossz	16.13mm
Tranzisztor anyaga	SiC
Szélesség	21.1mm
Magasság	5.21mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Nyitóirányú diódafeszültség	4.8V

MOSFET, 1 elem/chip, 11,5 A, 900 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC

Wolfspeed Silicon Carbide teljesítmény MOSFET-ek