Szolgáltatásaink
Ipari portál
Új termékek
Csomagkövetés
Bejelentkezés / Regisztráció
Jelentkezzen be
/
Regisztráljon,
hogy hozzáférjen az előnyökhöz
Menü
Gyártói szám
Legutóbb keresett
Biztonság és épületlakatosság
Irodai kellékek
Munkavédelem
Számítástechnika és perifériák
Tesztelés és mérés
Védőfelszerelés és munkaruházat
Épülettisztítás és karbantartás
Automatizálás és szabályozástechnika
Biztosítékok és megszakítók
Burkolatok és szerverszekrények
HVAC (fűtés, szellőztetés és klimatizálás)
Kapcsolók
Kábelek és vezetékek
Relék és jelkondicionálás
Világítás
Akkumulátorok és töltők
Csatlakozók
ESD-védett vezérlés, Tisztatér és NYÁK-prototípuskészítés
Félvezetők
Kijelzők és optoelektronikai termékek
Passzív alkatrészek
Raspberry Pi Arduino ROCK és fejlesztőeszközök
Tápegységek és transzformátorok
Csapágyak és tömítések
Elektromos szerszámok, Forrasztás és hegesztés
Hozzáférés, Tárolás és anyagmozgatás
Kézi szerszámok
Mechanikus erőátvitel
Mérnöki anyagok és ipari hardverek
Pneumatika és hidraulika
Ragasztók, tömítőanyagok és ragasztószalagok
Rögzítők és kötőelemek
Víz- és csővezetékek
Félvezetők
Diszkrét félvezetők
MOSFET-ek
MOSFET, 1 elem/chip, 87 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si
RS raktári szám:
162-9823
Gyártó cikkszáma:
MDD1503RH
Gyártó:
MagnaChip
Kategória megtekintése
Megszüntetett termék
RS raktári szám:
162-9823
Gyártó cikkszáma:
MDD1503RH
Gyártó:
MagnaChip
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Jellemzők
MDD1503 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 87.5A
ESD Control Selection Guide V1
RoHS követelményeknek megfelelő
Származási ország (Country of Origin):
CN
Alacsony feszültségű (LV) MOSFET
Ezek az alacsony feszültségű (LV) MOSFET alacsony kapcsolóállással és gyors kapcsolási teljesítménnyel rendelkeznek.
MOSFET tranzisztorok, MagnaChip
Tulajdonság
Érték
Csatorna típusa
N
Maximális folyamatos nyelőáram
87 A
Maximális nyelő forrásfeszültség
30 V
Csomag típusa
DPAK (TO-252)
Rögzítés típusa
Felületre szerelhető
Tüskék száma
3
Maximális nyelő forrásellenállás
6.8 mΩ
Csatorna mód
Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség
2.7V
Maximális teljesítménydisszipáció
59,5 W
Tranzisztorkonfiguráció
Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség
-20 V, +20 V
Elemek száma chipenként
1
Tranzisztor anyaga
Si
Szélesség
6.22mm
Hossz
6.73mm
Maximális működési hőmérséklet
+150 °C
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél
28 nC 10 V esetén
Min. működési hőmérséklet
-55 °C
Nyitóirányú diódafeszültség
1.1V
Magasság
2.39mm