MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 500 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si

Megszüntetett termék

Műszaki referencia

Nagy feszültség, N-csatornás MOSFET, alacsony készenléti ellenállással és nagy kapcsolási teljesítménnyel.

MOSFET tranzisztorok, MagnaChip

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	2,8 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	500 V
Csomag típusa	DPAK (TO-252)
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	2.5 Ω
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	5V
Maximális teljesítménydisszipáció	45 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-30 V, +30 V
Szélesség	6.22mm
Elemek száma chipenként	1
Tranzisztor anyaga	Si
Hossz	6.73mm
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	10 V esetén 6,75 nC
Nyitóirányú diódafeszültség	1.4V
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Magasság	2.39mm