MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 20 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres Si
- RS raktári szám:
- 165-6938
- Gyártó cikkszáma:
- SIR401DP-T1-GE3
- Gyártó:
- Vishay
Átmenetileg nincsen raktáron – várhatóan ezen a napon lesz újra szállítható: 2024.09.18. A szállítás 4 munkanapot vesz igénybe.
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.
Hozzáadva
Ár Darab (3000 egy tekercsen)
141 Ft
(ÁFA nélkül)
178 Ft
(ÁFÁ-val)
| Egység | Per unit | orsónként* |
| 3000 + | 141 Ft | 421 500 Ft |
| *ár | ||
- RS raktári szám:
- 165-6938
- Gyártó cikkszáma:
- SIR401DP-T1-GE3
- Gyártó:
- Vishay
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
P-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET tranzisztorok, Vishay Semiconductor
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
|---|---|
| Csatorna típusa | P |
| Maximális folyamatos nyelőáram | 50 A |
| Maximális nyelő forrásfeszültség | 20 V |
| Sorozat | TrenchFET |
| Csomag típusa | PowerPAK SO-8 |
| Rögzítés típusa | Felületre szerelhető |
| Tüskék száma | 8 |
| Maximális nyelő forrásellenállás | 7,7 mΩ |
| Csatorna mód | Növekményes |
| Minimális kapu küszöbfeszültség | 0.6V |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 39 W |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
| Maximális kapu forrásfeszültség | -12 V, +12 V |
| Hossz | 6.25mm |
| Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél | 205 nC 10 V esetén |
| Tranzisztor anyaga | Si |
| Szélesség | 5.26mm |
| Maximális működési hőmérséklet | +150 °C |
| Elemek száma chipenként | 1 |
| Magasság | 1.12mm |
| Min. működési hőmérséklet | -55 °C |
- RS raktári szám:
- 165-6938
- Gyártó cikkszáma:
- SIR401DP-T1-GE3
- Gyártó:
- Vishay