MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS T2 Egyszeres Si

RS raktári szám:: 166-1127
Gyártó cikkszáma:: IPD90N03S4L03ATMA1
Gyártó:: Infineon

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS T2 Egyszeres Si

Átmenetileg nincsen raktáron, előre megrendelhető és amint raktáron van, szállítjuk

Ár Darab (2500 egy tekercsen)

197 Ft

(ÁFA nélkül)

250 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Egységenként	orsónként*
2500 +	197 Ft	491 500 Ft

RS raktári szám:: 166-1127
Gyártó cikkszáma:: IPD90N03S4L03ATMA1
Gyártó:: Infineon

IPD90N03S4L-03 OptiMOS-T2 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	90 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	30 V
Csomag típusa	DPAK (TO-252)
Sorozat	OptiMOS T2
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	4,4 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	2.2V
Minimális kapu küszöbfeszültség	1V
Maximális teljesítménydisszipáció	94 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-16 V, +16 V
Elemek száma chipenként	1
Hossz	6.5mm
Tranzisztor anyaga	Si
Szélesség	6.22mm
Maximális működési hőmérséklet	+175 °C
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	60 nC 10 V esetén
Nyitóirányú diódafeszültség	1.3V
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Magasság	2.3mm

MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS T2 Egyszeres Si

Infineon OptiMOS™ T2 teljesítmény MOSFET-ek