MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 500 V, 3-tüskés, TO-3P HiperFET, Polar3 Egyszeres Si

RS raktári szám:: 168-4740
Gyártó cikkszáma:: IXFQ50N50P3
Gyártó:: IXYS

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 500 V, 3-tüskés, TO-3P HiperFET, Polar3 Egyszeres Si

Átmenetileg nincsen raktáron, előre megrendelhető és amint raktáron van, szállítjuk

Ár Darab (egy rudon 30)

1 959 Ft

(ÁFA nélkül)

2 488 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Egységenként	csövenként*
30 +	1 959 Ft	58 773 Ft

RS raktári szám:: 168-4740
Gyártó cikkszáma:: IXFQ50N50P3
Gyártó:: IXYS

IXFT50N50P3, IXFQ50N50P3, IXFH50N50P3, Polar3 HiPerFET, Power MOSFETs, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	50 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	500 V
Csomag típusa	TO-3P
Sorozat	HiperFET, Polar3
Rögzítés típusa	Furatszerelt
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	125 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	5V
Maximális teljesítménydisszipáció	960 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-30 V, +30 V
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	85 nC 10 V esetén
Elemek száma chipenként	1
Szélesség	4.9mm
Tranzisztor anyaga	Si
Hossz	15.8mm
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Magasság	20.3mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 500 V, 3-tüskés, TO-3P HiperFET, Polar3 Egyszeres Si

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat