MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si
- RS raktári szám:
- 168-4754
- Gyártó cikkszáma:
- IXFN32N100Q3
- Gyártó:
- IXYS
Átmenetileg nincsen raktáron – várhatóan ezen a napon lesz újra szállítható: 2025.02.18. A szállítás 4 munkanapot vesz igénybe.
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.
Hozzáadva
Ár Darab (egy rudon 10)
22 617 Ft
(ÁFA nélkül)
28 724 Ft
(ÁFÁ-val)
| Egység | Per unit | csövenként* |
| 10 + | 22 617 Ft | 226 173 Ft |
| *ár | ||
- RS raktári szám:
- 168-4754
- Gyártó cikkszáma:
- IXFN32N100Q3
- Gyártó:
- IXYS
Engedélyezés és megfelelőség
- Származási ország (Country of Origin):
- US
Termékadatok
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat
A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zavartűréssel. Az eszközök gyors intrinsic diódát tartalmaznak, és számos ipari szabvány csomagban kaphatók, beleértve az izolált típusokat is, amelyek névleges értéke 1100V és 70A lehet Jellemző felhasználási területek: DC-DC átalakítók, akkumulátortöltők, kapcsolási üzemmód és rezonáns üzemmódú tápegységek, DC Elosztók, hőmérséklet- és világításvezérlés.
Gyors belső egyenirányító dióda
Alacsony RDS(on) és QG (kapufeltöltés)
Alacsony belső kapu ellenállás
Iparági szabványnak megfelelő csomagolás
Alacsony csomag-induktivitás
Nagy teljesítménysűrűség
Alacsony RDS(on) és QG (kapufeltöltés)
Alacsony belső kapu ellenállás
Iparági szabványnak megfelelő csomagolás
Alacsony csomag-induktivitás
Nagy teljesítménysűrűség
MOSFET tranzisztorok, IXYS
Advanced Power MOSFET eszközök széles választéka az IXYS számítógépektől
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
|---|---|
| Csatorna típusa | N |
| Maximális folyamatos nyelőáram | 28 A |
| Maximális nyelő forrásfeszültség | 1000 V |
| Sorozat | HiperFET, Q3-Class |
| Csomag típusa | SOT-227 |
| Rögzítés típusa | Csavaros rögzítés |
| Tüskék száma | 4 |
| Maximális nyelő forrásellenállás | 320 mΩ |
| Csatorna mód | Növekményes |
| Maximális kapu küszöbfeszültség | 6.5V |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 780 W |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
| Maximális kapu forrásfeszültség | -30 V, +30 V |
| Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél | 195 nC 10 V esetén |
| Maximális működési hőmérséklet | +150 °C |
| Elemek száma chipenként | 1 |
| Tranzisztor anyaga | Si |
| Hossz | 38.23mm |
| Szélesség | 25.07mm |
| Magasság | 9.6mm |
| Min. működési hőmérséklet | -55 °C |