MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 1000 V, 4-tüskés, TO-247-4 C3M SiC

RS raktári szám:: 168-4886
Gyártó cikkszáma:: C3M0065100K
Gyártó:: Wolfspeed

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 1000 V, 4-tüskés, TO-247-4 C3M SiC

Kategória megtekintése

1770 Raktáron van 1 munkanapon belüli szállításra.

Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.

Hozzáadva

Kosár megtekintése

Ár Darab (egy rudon 30)

6 392 Ft

(ÁFA nélkül)

8 118 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Per unit	csövenként*
30 +	6 392 Ft	191 772 Ft
*ár

RS raktári szám:: 168-4886
Gyártó cikkszáma:: C3M0065100K
Gyártó:: Wolfspeed

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Származási ország (Country of Origin):: CN

Termékadatok

Silicon Carbide Power MOSFET, C3M sorozat, Cree

Új C3M Szilícium-karbid (SIC) MOSFET technológia
Minimum 1000 V teljesítmény Egyforráspontú Meghibásodás Feszültség a teljes üzemi hőmérséklet-tartományban
Új alacsony impedanciájú csomag meghajtóforrással
A Lefolyó és A Forrás közötti eltérés 8 mm lehet
Nagy sebességű kapcsolás alacsony kimeneti kapacitással
Magas zárfeszültség alacsony áramforráson-line Ellenállással
Zavartűrés a lavinánál
Gyors belső dióda alacsony hátrameneti visszaállítással

MOSFET tranzisztorok, Cree Inc.

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	35 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	1000 V
Sorozat	C3M
Csomag típusa	TO-247-4
Rögzítés típusa	Furatszerelt
Tüskék száma	4
Maximális nyelő forrásellenállás	90 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	3.5V
Minimális kapu küszöbfeszültség	1.8V
Maximális teljesítménydisszipáció	113,5 W
Maximális kapu forrásfeszültség	-8 V, +19 V
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	35 nC 15 V esetén, 35 nC 4 V esetén
Hossz	16.13mm
Tranzisztor anyaga	SiC
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Szélesség	5.21mm
Elemek száma chipenként	1
Magasság	23.6mm
Nyitóirányú diódafeszültség	4.8V
Min. működési hőmérséklet	-55 °C

RS raktári szám:: 168-4886
Gyártó cikkszáma:: C3M0065100K
Gyártó:: Wolfspeed