MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ 3 Egyszeres

Az Infineon PG-TO-252-3 felületre szerelhető N-csatornás MOSFET új kort jelentő termék, amelynek ürítési ellenállása 6,8 mohm 10 V kapuforrásnál A MOSFET-ek folyamatosan 90A áramot fogyasztanak A maximális kaputápfeszültség 20 V, az ürítőforrás feszültsége pedig 100 V. Maximális teljesítményfelvétele 150 W. A MOSFET minimális és maximális kimenő feszültsége 6 V, illetve 10 V. A kisebb kapcsolási és vezetési veszteségekre lett optimalizálva. A MOSFET kiemelkedő hatékonyságot és hosszú és termelékeny élettartamot kínál anélkül, hogy a teljesítmény vagy a funkció rovására menne.

• Könnyű tervezésű termékek
• Környezetbarát
• Kiváló kaputöltés x R DS (be) termék (FOM)
• Kiváló kapcsolási teljesítmény
• Halogénmentes
• A legnagyobb teljesítménysűrűség
• Ideális a nagyfrekvenciás kapcsoláshoz és a szinkron javításokhoz
• Nagyobb hatékonyság
• Ólommentes (Pb) lemezelés
• KEVÉS SZÜKSÉGES
• A működési hőmérsékleti tartomány -55°C és 175°C között van
• A legkisebb lemezhelyigény
• Nagyon alacsony QG és Qgd
• A világ legalacsonyabb RDS-je (be)

• D osztályú audioerősítők
• Isolated DC-DC átalakítók (távközlési és adatátviteli rendszerek)
• 48V-80V rendszerek motorvezérlő egysége (háztartási járművek, szerszámgépek, targoncák)
• 48 V-os rendszerekben O-gyűrűs kapcsolók és megszakítók
• Szinkron egyenirányító

• ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC

MOSFET tranzisztorok Infineon

Az Infineon MOSFET-eszközök széles és átfogó választékát kínálja, amelyek a CoolMOS, OptiMOS és StrongIRFET termékcsaládokat is tartalmazzák. Kategóriájában a legjobb teljesítményt nyújtják nagyobb hatékonyság, energiahatékonyság és költséghatékonyság érdekében. A kiváló minőséget és fejlett védelmet igénylő modellek az AEC-Q101 ipari szabványoknak megfelelő autóipari szabványú MOSFET-ek előnyeit kínálják.