MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ Egyszeres

Az új 40 V-os és 60 V-os termékcsalád tagjai nem csupán az iparág legalacsonyabb R DS(on) értékét biztosítják, de kiváló kapcsolási teljesítménnyel rendelkeznek a gyors kapcsolású alkalmazásokhoz. 15%-kal alacsonyabb R DS(on) érték és 31%-kal alacsonyabb „jósági tényező” (R DS(on) x Q g) a hasonló eszközökhöz képest, mely a speciális vékonyostya-technológiának köszönhető. Az új 40 V-os és 60 V-os termékcsalád tagjai nem csupán az iparág legalacsonyabb R DS(on) értékét biztosítják, de kiváló kapcsolási teljesítménnyel rendelkeznek a gyors kapcsolású alkalmazásokhoz. 15%-kal alacsonyabb R DS(on) érték és 31%-kal alacsonyabb „jósági tényező” (R DS(on) x Q g) a hasonló eszközökhöz képest, mely a speciális vékonyostya-technológiának köszönhető

Szinkron-egyenirányításra optimalizálva
15%-kal alacsonyabb R DS(on) érték a hasonló eszközökhöz képest
31%-kal nagyobb FOM a hasonló készülékekhez képest
Integrált Schottky-típusú dióda
Halogénmentes
Előnyök:
Legnagyobb rendszerhatékonyság
Kevesebb párhuzamosítás szükséges
Megnövelt teljesítménysűrűség
Rendszerköltségek csökkentése
Nagyon alacsony feszültségtúllövés
Célalkalmazások:
Szinkron egyenirányítás
Mikro napenergia-inverter
Szigetelt DC–DC átalakítók
Motorvezérlő
Or-ing kapcsolók