MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 170 mA, 300 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-92 DN2530 Szilikon

A Microchip által kínált N-csatornás dMOS FET tranzisztorok Supertex választéka alkalmas olyan alkalmazásokhoz, amelyek nagy bomlási feszültséget, nagy bemeneti impedanciát, alacsony bemeneti kapacitást és gyors kapcsolási sebességet igényelnek.

Nagy bemeneti impedancia
Alacsony bemeneti kapacitás
Gyors kapcsolási sebességek
Alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás
Nincs másodlagos letörés
Alacsony bemeneti és kimeneti szivárgás

Normál esetben bekapcsoló kapcsolók
Félvezetős relék
Átalakítók
Lineáris erősítők
Állandó áramforrások
A tápáramkörök
Telekommunikáció

A Microchip DN2530 N-csatornás depléció mód (normál esetben on) tranzisztor használ Advanced függőleges DMO szerkezet és jól bevált szilícium-kapu gyártási folyamat. Ez az együttes így egy, a bipoláris tranzisztorok energiagazdálkodási képességeivel és a nagy bemeneti impedanciát, illetve a MOS eszközök pozitív hőmérsékleti együtthatójával rendelkező eszközt alkot. Az összes MOS-struktúrát jellemző tulajdonsággal bíró eszköz mentes a hőinstabilitástól és a hő okozta másodlagos letöréstől. A függőleges DMOS FET-ek számos olyan kapcsolási és erősítő alkalmazáshoz megfelelők, ahol nagy letörési feszültség, nagy bemeneti impedancia, alacsony bemeneti kapacitás és gyors kapcsolási sebesség szükséges. Az elvezető-forrás és a leeresztő-kapu feszültség 300 V, a statikus elvezető-forrás feszültség pedig 25 ohm.

Nagy bemeneti impedancia
Alacsony bemeneti kapacitás
Gyors kapcsolási sebességek
Alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás
Nincs másodlagos letörés
Alacsony bemeneti és kimeneti szivárgás
Ólommentes (Pb-mentes)
3 elvezetéses TO-92 csomag

MOSFET tranzisztorok, Microchip