Szolgáltatásaink
Ipari portál
Új termékek
Csomagkövetés
Bejelentkezés / Regisztráció
Jelentkezzen be
/
Regisztráljon,
hogy hozzáférjen az előnyökhöz
Menü
Gyártói szám
Legutóbb keresett
Biztonság és épületlakatosság
Irodai kellékek
Munkavédelem
Számítástechnika és perifériák
Tesztelés és mérés
Védőfelszerelés és munkaruházat
Épülettisztítás és karbantartás
Automatizálás és szabályozástechnika
Biztosítékok és megszakítók
Burkolatok és szerverszekrények
HVAC (fűtés, szellőztetés és klimatizálás)
Kapcsolók
Kábelek és vezetékek
Relék és jelkondicionálás
Világítás
Akkumulátorok és töltők
Csatlakozók
ESD-védett vezérlés, Tisztatér és NYÁK-prototípuskészítés
Félvezetők
Kijelzők és optoelektronikai termékek
Passzív alkatrészek
Raspberry Pi Arduino ROCK és fejlesztőeszközök
Tápegységek és transzformátorok
Csapágyak és tömítések
Elektromos szerszámok, Forrasztás és hegesztés
Hozzáférés, Tárolás és anyagmozgatás
Kézi szerszámok
Mechanikus erőátvitel
Mérnöki anyagok és ipari hardverek
Pneumatika és hidraulika
Ragasztók, tömítőanyagok és ragasztószalagok
Rögzítők és kötőelemek
Víz- és csővezetékek
/
Félvezetők
/
Diszkrét félvezetők
/
MOSFET-ek
MOSFET, 1 elem/chip, 300 A, 30 V, 8-tüskés, DSOP Egyszeres
RS raktári szám:
171-2373P
Gyártó cikkszáma:
TPWR8503NL
Gyártó:
Toshiba
Kategória megtekintése
Megszüntetett termék
RS raktári szám:
171-2373P
Gyártó cikkszáma:
TPWR8503NL
Gyártó:
Toshiba
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Jellemzők
Datasheet
Kivétel
Nagy hatékonyságú DC-DC átalakítók
Kapcsolásifeszültség-szabályozók
Nagysebességű kapcsolás
Kis kaputöltés: QSW = 16 nC (jell.)
Alacsony fogyasztó-forrási ellenállás: RDS(ON) = 1,0 mΩ (jell.) (VGS = 4,5 V esetén)
Alacsony szivárgó áram: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 30 V)
Javítási mód: Vth = 1,3-től 2,3 V-ig (VDS = 10 V, ID = 1,0 mA)
Tulajdonság
Érték
Csatorna típusa
N
Maximális folyamatos nyelőáram
300 A
Maximális nyelő forrásfeszültség
30 V
Csomag típusa
DSOP
Rögzítés típusa
Felületre szerelhető
Tüskék száma
8
Maximális nyelő forrásellenállás
1.3 mΩ
Csatorna mód
Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség
2.3V
Minimális kapu küszöbfeszültség
1.3V
Maximális teljesítménydisszipáció
142 W
Tranzisztorkonfiguráció
Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség
±20 V
Elemek száma chipenként
1
Maximális működési hőmérséklet
+150 °C
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél
74 nC 10 V esetén
Szélesség
5mm
Hossz
5mm
Nyitóirányú diódafeszültség
1.2V
Magasság
0.73mm