MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres

RS raktári szám:: 171-3697P
Gyártó cikkszáma:: TSM2308CX RFG
Gyártó:: Taiwan Semiconductor

MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres

12450 Raktáron van 1 munkanapon belüli szállításra.

Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.

Hozzáadva

Ár Darab (tekercsen) 150 db alatti mennyiség egy szalagon

106 Ft

(ÁFA nélkül)

135 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Per unit
250 - 450	106 Ft
500 - 950	103 Ft
1000 +	101 Ft

RS raktári szám:: 171-3697P
Gyártó cikkszáma:: TSM2308CX RFG
Gyártó:: Taiwan Semiconductor

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

A Taiwan Semiconductor 60V, 3A, 3 tűs, N-csatornás MOSFET egytranzisztoros konfigurációval és Enhancement csatorna móddal rendelkezik. Ez általában használt DC-DC áramellátó rendszer
és terheléskapcsoló alkalmazások.

Advance Trench folyamat technológia
Nagy sűrűségű cellakialakítás a rendkívül kis ellenállású kialakításért
Az üzemi hőmérséklet -55 °C és +150 °C között van
1,25W W max. Teljesítményleadás
A kamraajtó küszöbfeszültsége 1,2V-2,5V között változik

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	3 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	60 V
Csomag típusa	SOT-23
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	192 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség	2.5V
Minimális kapu küszöbfeszültség	1.2V
Maximális teljesítménydisszipáció	1,25 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	±20 V
Hossz	3mm
Elemek száma chipenként	1
Szélesség	1.4mm
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	3,99 nC 4,5 V esetén
Nyitóirányú diódafeszültség	1.2V
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Magasság	1.05mm

RS raktári szám:: 171-3697P
Gyártó cikkszáma:: TSM2308CX RFG
Gyártó:: Taiwan Semiconductor