MOSFET, 1 elem/chip, 640 mA, 30 V, 3-tüskés, TO-92 VN0300 Egyszeres

A Microchip Technology furatba szerelhető N-chile új, korba tartozó termék, amelynek kimeneti tápfeszültsége 30 V, a kapuforrás maximális feszültsége pedig 30 V. A leeresztő-forrás ellenállása 1,2 ohm 10 V kapuforrásnál Folyamatos, 640 mA-es ürítőárammal és 1W maximális teljesítményleadással rendelkezik A MOSFET minimális és maximális kimenő feszültsége 5 V, illetve 10 V. A MOSFET javító mód (általában kikapcsolt) MOSFET, amely függőleges MOS struktúrát és jól bevált, szilíciumkapu-gyártási folyamatot alkalmaz. Ez az együttes így egy, a bipoláris tranzisztorok energiagazdálkodási képességeivel és a nagy bemeneti impedanciát, illetve a MOS eszközök pozitív hőmérsékleti együtthatójával rendelkező eszközt alkot. Ez az eszköz mentes a hőkifutástól és a hőindukált másodlagos meghibásodástól. Ez a függőleges MOS FET az alacsonyabb kapcsolási és vezetési veszteségekre lett optimalizálva. A MOSFET kiemelkedő hatékonyságot és hosszú és termelékeny élettartamot kínál anélkül, hogy a teljesítmény vagy a funkció rovására menne.

• párhuzamba rendeztük
• Kiváló hőstabilitás
• Szekundításmentes
• Nagy bemeneti impedancia és nagy erősítés
• Integrál forrásleeresztő dióda
• Alacsony CISS és gyors kapcsolási sebesség
• Kis teljesítményű hajtás igény
• A működési hőmérsékleti tartomány -55°C és 150°C között van

• Erősítők
• Converterek
• Illesztőprogramok: Relék, kalapácsok, mágnestekercsek, lámpák, emlékek, kijelzők, bipoláris tranzisztorok stb.
• Motorvezérlők
• Tápellátás áramkörök
• Kapcsolók

• ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEC