MOSFET, 1 elem/chip, 310 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 VN10K Egyszeres

A Microchip Technology furatba szerelhető N-chile új, korba tartozó termék, amelynek ürítési ellenállása 5 ohm 10 V kapuforrásnál 60 V-os ürítőforrás feszültséggel és 30 V-os maximális kapuforrásfeszültséggel rendelkezik MAX. 310 mA töltőáram, 1 W maximális teljesítményveszteség mellett Ezen tranzisztor minimális és maximális vezetési feszültsége 5 V illetve 10 V. A MOSFET egy továbbfejlesztett (normál esetben kikapcsolt) tranzisztor, mely függőleges MOS struktúrát és jól bevált, szilíciumkapu-gyártási folyamatot használ. Ez az együttes így egy, a bipoláris tranzisztorok energiagazdálkodási képességeivel és a nagy bemeneti impedanciát, illetve a MOS eszközök pozitív hőmérsékleti együtthatójával rendelkező eszközt alkot. Ez az eszköz mentes a hőkifutástól és a hőindukált másodlagos meghibásodástól. Ez a függőleges MOS FET az alacsonyabb kapcsolási és vezetési veszteségekre lett optimalizálva. A MOSFET kiemelkedő hatékonyságot és hosszú és termelékeny élettartamot kínál anélkül, hogy a teljesítmény vagy a funkció rovására menne.

• párhuzamba rendeztük
• Kiváló hőstabilitás
• Szekundításmentes
• Nagy bemeneti impedancia és nagy erősítés
• Integrál forrásleeresztő dióda
• Alacsony CISS és gyors kapcsolási sebesség
• Kis teljesítményű hajtás igény
• A működési hőmérsékleti tartomány -55°C és 150°C között van

• Erősítők
• Converterek
• Illesztőprogramok (relék, kalapácsok, mágnestekercsek, lámpák, memóriák, kijelzők, bipoláris tranzisztorok stb.)
• Motor vezérlők
• Tápellátás áramkörök
• Kapcsolók

• ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEC