MOSFET, 1 elem/chip, 350 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 TN0106 Egyszeres

A Microchip Technology furatba szerelhető N-chile új korba tartozó termék, amelynek ürítési ellenállása 3 ohm 10 V kapuforrásnál 60 V-os ürítőforrásfeszültséggel és 20 V-os maximális kapuforrásfeszültséggel rendelkezik 350 mA folyamatos váltóárammal és 1W maximális teljesítményleadásával rendelkezik A MOSFET minimális és maximális kimenő feszültsége 4,5 V, illetve 10 V. A MOSFET egy továbbfejlesztett (normál esetben kikapcsolt) tranzisztor, mely függőleges MOS struktúrát és jól bevált, szilíciumkapu-gyártási folyamatot használ. Ez az együttes így egy, a bipoláris tranzisztorok energiagazdálkodási képességeivel és a nagy bemeneti impedanciát, illetve a MOS eszközök pozitív hőmérsékleti együtthatójával rendelkező eszközt alkot. Ez az eszköz mentes a hőkifutástól és a hőindukált másodlagos meghibásodástól. Ez a függőleges MOS FET az alacsonyabb kapcsolási és vezetési veszteségekre lett optimalizálva. A MOSFET kiemelkedő hatékonyságot és hosszú és termelékeny élettartamot kínál anélkül, hogy a teljesítmény vagy a funkció rovására menne.

• párhuzamba rendeztük
• Kiváló hőstabilitás
• Szekundításmentes
• Nagy bemeneti impedancia és nagy erősítés
• Integrál forrásleeresztő dióda
• Alacsony CISS és gyors kapcsolási sebesség
• Kis teljesítményű hajtás igény
• A működési hőmérsékleti tartomány -55°C és 150°C között van

• Analóg kapcsolók
• Akkumulátorokkal működő rendszerek
• Általános célú vonalmeghajtók
• Logic szintű interfészek - ideális TTL- és CMOS-használathoz
• Fénykép voltaikus meghajtók
• Félvezetős relék
• Telecom kapcsolók

• ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEC