MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 29 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 NTH SiC
- RS raktári szám:
- 202-5700
- Gyártó cikkszáma:
- NTH4L080N120SC1
- Gyártó:
- onsemi
448 Raktáron van 4 munkanapon belüli szállításra.
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.
Ár Darab (egy rudon 450)
2 353 Ft
(ÁFA nélkül)
2 988 Ft
(ÁFÁ-val)
Egység | Egységenként | csövenként* |
|---|---|---|
| 450 + | 2 353 Ft | 1 058 625 Ft |
*ár
- RS raktári szám:
- 202-5700
- Gyártó cikkszáma:
- NTH4L080N120SC1
- Gyártó:
- onsemi
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Szilícium-karbid (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L szilícium-karbid (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L
A on Semiconductor Silicon carbide Power MOSFET 29 Amper és 1200 volt feszültséggel működik. Szünetmentes tápban, Boost inverterben, ipari motormeghajtóként és fotovoltaikus töltőben használható.
110mO eressze le a vizet a forrásba ellenállás mellett
Rendkívül alacsony kamraajtó töltés
100%-osan lavinaálló
Ólommentes
RoHS megfelelőségű
Rendkívül alacsony kamraajtó töltés
100%-osan lavinaálló
Ólommentes
RoHS megfelelőségű
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
|---|---|
| Csatorna típusa | N |
| Maximális folyamatos nyelőáram | 29 A |
| Maximális nyelő forrásfeszültség | 1200 V |
| Csomag típusa | TO-247-4 |
| Sorozat | NTH |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt |
| Tüskék száma | 4 |
| Maximális nyelő forrásellenállás | 0,11 Ω |
| Csatorna mód | Növekményes |
| Maximális kapu küszöbfeszültség | 4.3V |
| Tranzisztor anyaga | SiC |
| Elemek száma chipenként | 1 |