MOSFET tranzisztor + dióda, 2 elem/chip, 62 A, 75 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET

A Infineon Infineon OptiMOS N-csatornás teljesítmény MOSFET-jei a hatékonyság, a teljesítménysűrűség és a költséghatékonyság növelésére lettek kifejlesztve. Az OptiMOS termékek a nagy teljesítményű alkalmazásokhoz és a magas kapcsolási frekvenciára optimalizálva győzik meg az iparág legjobb érdemeit. Az OptiMOS teljesítményű MOSFET-portfólió, amelyet most erős IRFET egészít ki, valóban hatékony kombinációt alkot. Használja ki az erős IRFET MOSFET-EK és az OptiMOS MOSFET-EK kategóriájában a legjobb technológia robusztus és kiváló ár/teljesítmény előnyeit. Mindkét termékcsalád megfelel a legmagasabb minőségi követelményeknek és a teljesítmény követelményeinek. A 12 V-tól 300 V-ig terjedő MOSFET-eket lefedő közös portfólió az alacsony és a magas kapcsolási frekvenciától, például az SMPS-től, az akkumulátoros alkalmazásoktól, a motorvezérléstől és meghajtásoktól, az inverterektől és a számítástechnikától különböző igények széles körét képes kielégíteni.

Síkbeli sejtszerkezet széles SOA-hoz
A disztribúciós partnerek legszélesebb körű elérhetőségére optimalizálva
Termékminősítés a JEDEC szabvány szerint
100 Ipari szabvány felületre szerelhető tápegység
Nagy áramerősségű hordozhatóság csomag (akár 195 A, lyukméret-függő)
Képes hullámforrasztásra