MOSFET, 2 elem/chip, 9 A, 20 V, 6-tüskés, U-DFN2030

A DiodesZetex új generációs kettős N-csatornás Enhancement módú MOSFET-et készít, amelynek célja az on-state ellenállás (RDS(ON)) minimalizálása és a kiváló kapcsolási teljesítmény fenntartása, így ideális a nagy hatékonyságú energiagazdálkodási alkalmazásokhoz. Ez egy zöld eszköz, és teljesen ólom, halogén és antimon mentes. Ez a MOSFET U-DFN2030-6 csomagolásban kapható. Gyors kapcsolást és nagy hatékonyságot kínál. Üzemi hőmérséklet-tartománya 55 °C és +150°C között van Alacsony bemeneti kapacitást és gyors kapcsolási sebességet kínál.

A forrásfeszültség maximális leürítője 20 V, a kapu maximális forrásfeszültség pedig ±16 V, alacsony bekapcsolt állapotú ellenállást és alacsony kapufeszültség ESD védett kapuját kínálja