MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4

A Infineon CoolSiC 1200 V, 40 mΩ SIC MOSFET TO247-4 tokozásban a ART Trench Semiconductor folyamat állapotára épül, amelyet a teljesítmény és a megbízhatóság kombinálására optimalizáltak, ezek közé tartozik a legalacsonyabb kapu töltési szint és a 1200 V-os kapcsolókban látható eszköz kapacitási szint, a belső kommutáció-biztos testdióda, a hőmérséklet-független alacsony kapcsolási veszteségek, a küszöbmentes bekapcsolt állapot jellemző és a CoolSiC MOSFET-EK nem veszteségesek a kemény és rezonáns kapcsolási topológiákhoz, például a teljesítménytényező-korrekciós (PFC) áramkörökhöz, a kétirányú topológiákhoz és a DC-DC átalakítókhoz, illetve a DC-AC inverterekhez.

VDSS - 1200 V, T - 25 °C-ON
ICC - 55 A, T - 25 °C-ON
RDS(be) - 39 mohm VGS - 18 V, T - 25 °C-on
Nagyon alacsony kapcsolási veszteségek
Rövidzárlat ellenáll idő 3 mikroszekundum
Kapu küszöbfeszültsége, VGS(Th) - 4,2 V
Robusztus a parazita ellen, be, 0 V-os kapufeszültség alkalmazható
Robusztus testdióda a kemény kommutáció érdekében
XT összekapcsolási technológia a kategóriájában legjobb hőteljesítményhez