MOSFET, 200 V, TO-92

A Microchip P-csatornás, alacsony küszöbértékű, javítási üzemmódú (normálisan kikapcsolt) MOSFET-je függőleges DMOS-szerkezetet és jól bevált szilíciumkapú gyártási folyamatot használ. Ez a kombináció olyan eszközt hoz létre, amely a bipoláris tranzisztorok teljesítménykezelési képességeivel, valamint a MOS-eszközökhöz jellemző magas bemeneti impedanciával és pozitív hőmérsékleti együtthatóval rendelkezik. Az összes MOS szerkezetre jellemző, ez a készülék mentes a hőszivárgástól és a hő által kiváltott másodlagos bomlástól. A függőleges DMOS FET-ek ideálisak a kapcsolási és erősítő alkalmazások széles köréhez, ahol nagyon alacsony küszöbfeszültség, magas megszakítási feszültség, magas bemeneti impedancia, alacsony bemeneti kapacitás és gyors kapcsolási sebesség kívánatos.

Alacsony küszöbérték (-2,4 V max.)
Magas bemeneti impedancia
Alacsony bemeneti kapacitás (jellemzően 85 pF)
Gyors kapcsolási sebesség
Alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás
Mentes másodlagos meghibásodástól
Alacsony bemeneti és kimeneti szivárgás