MOSFET, 1 elem/chip, 120 mA, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, SOT-223 SIPMOS Egyszeres Si

RS raktári szám:: 354-5708P
Gyártó cikkszáma:: BSP135H6327XTSA1
Gyártó:: Infineon

MOSFET, 1 elem/chip, 120 mA, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, SOT-223 SIPMOS Egyszeres Si

2351 Raktáron van 1 munkanapon belüli szállításra.

Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.

Hozzáadva

Ár Darab (tekercsen) 150 db alatti mennyiség egy szalagon

476 Ft

(ÁFA nélkül)

605 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Per unit
10 - 49	476 Ft
50 - 99	441 Ft
100 - 249	406 Ft
250 +	378 Ft

RS raktári szám:: 354-5708P
Gyártó cikkszáma:: BSP135H6327XTSA1
Gyártó:: Infineon

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Infineon SIGMOS® N-Channel MOSFET-ek

MOSFET tranzisztorok Infineon

Az Infineon MOSFET-eszközök széles és átfogó választékát kínálja, amelyek a CoolMOS, OptiMOS és StrongIRFET termékcsaládokat is tartalmazzák. Kategóriájában a legjobb teljesítményt nyújtják nagyobb hatékonyság, energiahatékonyság és költséghatékonyság érdekében. A kiváló minőséget és fejlett védelmet igénylő modellek az AEC-Q101 ipari szabványoknak megfelelő autóipari szabványú MOSFET-ek előnyeit kínálják.

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	120 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség	600 V
Sorozat	SIPMOS
Csomag típusa	SOT-223
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	60 Ω
Csatorna mód	Kiürítéses
Maximális kapu küszöbfeszültség	1V
Minimális kapu küszöbfeszültség	2.1V
Maximális teljesítménydisszipáció	1.8 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-20 V, +20 V
Tranzisztor anyaga	Si
Szélesség	3.5mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	3,7 nC 5 V esetén
Elemek száma chipenként	1
Hossz	6.5mm
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Magasság	1.6mm
Min. működési hőmérséklet	-55 °C

RS raktári szám:: 354-5708P
Gyártó cikkszáma:: BSP135H6327XTSA1
Gyártó:: Infineon