MOSFET, 1 elem/chip, 4.5 A, 100 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si

Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat megoldható. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.

A Infineon IRF7452 egy 100 V-os, egy N-csatornás HEXFET teljesítmény MOSFET, SO-8 tokozásban.

Teljesen jellemzett lavina feszültség és áram
Alacsony kapu a töltés leeresztéséhez a kapcsolási veszteségek csökkentése érdekében

MOSFET tranzisztorok Infineon

Az Infineon MOSFET-eszközök széles és átfogó választékát kínálja, amelyek a CoolMOS, OptiMOS és StrongIRFET termékcsaládokat is tartalmazzák. Kategóriájában a legjobb teljesítményt nyújtják nagyobb hatékonyság, energiahatékonyság és költséghatékonyság érdekében. A kiváló minőséget és fejlett védelmet igénylő modellek az AEC-Q101 ipari szabványoknak megfelelő autóipari szabványú MOSFET-ek előnyeit kínálják.