MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) PowerTrench Egyszeres Si
- RS raktári szám:
- 671-0352P
- Gyártó cikkszáma:
- FDD5614P
- Gyártó:
- onsemi
Megszüntetett termék
- RS raktári szám:
- 671-0352P
- Gyártó cikkszáma:
- FDD5614P
- Gyártó:
- onsemi
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor
A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a kicsi kapufeltöltést (Qg), a kis fordított visszafejtési díjat (Qrr) és a puha hátrameneti térerősségvédő diódát, ami hozzájárul a szinkron egyenáram/egyenáram ellátás gyors átkapcsolásához.
A legújabb PowerTrasch® MOSFET-ek aktívan árnyékolt kapuszerkezet, amely az optimális terheléselosztást biztosítja. E Advanced technológia alkalmazásával ezeknek a készülékeknek a FEM (Érdemjegye) jóval kisebb a korábbi generációénál.
A PowerTfru® MOSFET-ek lágy testre szerelhető diódáinak teljesítménye kiküszöböli a rugalmas rezgéseket, vagy a nagyobb névleges feszültségű MOSFET helyettesítésével.
A legújabb PowerTrasch® MOSFET-ek aktívan árnyékolt kapuszerkezet, amely az optimális terheléselosztást biztosítja. E Advanced technológia alkalmazásával ezeknek a készülékeknek a FEM (Érdemjegye) jóval kisebb a korábbi generációénál.
A PowerTfru® MOSFET-ek lágy testre szerelhető diódáinak teljesítménye kiküszöböli a rugalmas rezgéseket, vagy a nagyobb névleges feszültségű MOSFET helyettesítésével.
MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS
A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.
Tulajdonság | Érték |
---|---|
Csatorna típusa | P |
Maximális folyamatos nyelőáram | 15 A |
Maximális nyelő forrásfeszültség | 60 V |
Csomag típusa | DPAK (TO-252) |
Sorozat | PowerTrench |
Rögzítés típusa | Felületre szerelhető |
Tüskék száma | 3 |
Maximális nyelő forrásellenállás | 100 mΩ |
Csatorna mód | Növekményes |
Minimális kapu küszöbfeszültség | 1V |
Maximális teljesítménydisszipáció | 42 W |
Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
Maximális kapu forrásfeszültség | -20 V, +20 V |
Maximális működési hőmérséklet | +175 °C |
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél | 15 nC 10 V esetén |
Hossz | 6.73mm |
Tranzisztor anyaga | Si |
Szélesség | 6.22mm |
Elemek száma chipenként | 1 |
Magasság | 2.39mm |
Min. működési hőmérséklet | -55 °C |