MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 30 V, 6-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si
- RS raktári szám:
- 671-0359P
- Gyártó cikkszáma:
- FDC658P
- Gyártó:
- onsemi
3000 Raktáron van 4 munkanapon belüli szállításra.
Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.
Ár Darab (tekercsen) 150 db alatti mennyiség egy szalagon
151 Ft
(ÁFA nélkül)
192 Ft
(ÁFÁ-val)
Egység | Egységenként |
---|---|
10 - 95 | 151 Ft |
100 - 495 | 107 Ft |
500 - 995 | 87 Ft |
1000 + | 72 Ft |
- RS raktári szám:
- 671-0359P
- Gyártó cikkszáma:
- FDC658P
- Gyártó:
- onsemi
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor
A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a kicsi kapufeltöltést (Qg), a kis fordított visszafejtési díjat (Qrr) és a puha hátrameneti térerősségvédő diódát, ami hozzájárul a szinkron egyenáram/egyenáram ellátás gyors átkapcsolásához.
A legújabb PowerTrasch® MOSFET-ek aktívan árnyékolt kapuszerkezet, amely az optimális terheléselosztást biztosítja. E Advanced technológia alkalmazásával ezeknek a készülékeknek a FEM (Érdemjegye) jóval kisebb a korábbi generációénál.
A PowerTfru® MOSFET-ek lágy testre szerelhető diódáinak teljesítménye kiküszöböli a rugalmas rezgéseket, vagy a nagyobb névleges feszültségű MOSFET helyettesítésével.
A legújabb PowerTrasch® MOSFET-ek aktívan árnyékolt kapuszerkezet, amely az optimális terheléselosztást biztosítja. E Advanced technológia alkalmazásával ezeknek a készülékeknek a FEM (Érdemjegye) jóval kisebb a korábbi generációénál.
A PowerTfru® MOSFET-ek lágy testre szerelhető diódáinak teljesítménye kiküszöböli a rugalmas rezgéseket, vagy a nagyobb névleges feszültségű MOSFET helyettesítésével.
MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS
A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
---|---|
Csatorna típusa | P |
Maximális folyamatos nyelőáram | 4 A |
Maximális nyelő forrásfeszültség | 30 V |
Sorozat | PowerTrench |
Csomag típusa | SOT-23 |
Rögzítés típusa | Felületre szerelhető |
Tüskék száma | 6 |
Maximális nyelő forrásellenállás | 50 mΩ |
Csatorna mód | Növekményes |
Minimális kapu küszöbfeszültség | 1V |
Maximális teljesítménydisszipáció | 1.6 W |
Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
Maximális kapu forrásfeszültség | -20 V, +20 V |
Tranzisztor anyaga | Si |
Elemek száma chipenként | 1 |
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél | 8 nC 5 V esetén |
Hossz | 3mm |
Maximális működési hőmérséklet | +150 °C |
Szélesség | 1.7mm |
Min. működési hőmérséklet | -55 °C |
Magasság | 1mm |