- RS raktári szám:
- 671-0403P
- Gyártó cikkszáma:
- FDN304P
- Gyártó:
- onsemi
Átmenetileg nincsen raktáron, előre megrendelhető és amint raktáron van, szállítjuk
Ár Darab (tekercsen) 150 db alatti mennyiség egy szalagon
185 Ft
(ÁFA nélkül)
235 Ft
(ÁFÁ-val)
Egység | Egységenként |
---|---|
50 - 95 | 185 Ft |
100 - 245 | 158 Ft |
250 - 495 | 148 Ft |
500 + | 136 Ft |
- RS raktári szám:
- 671-0403P
- Gyártó cikkszáma:
- FDN304P
- Gyártó:
- onsemi
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor
A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a kicsi kapufeltöltést (Qg), a kis fordított visszafejtési díjat (Qrr) és a puha hátrameneti térerősségvédő diódát, ami hozzájárul a szinkron egyenáram/egyenáram ellátás gyors átkapcsolásához.
A legújabb PowerTrasch® MOSFET-ek aktívan árnyékolt kapuszerkezet, amely az optimális terheléselosztást biztosítja. E Advanced technológia alkalmazásával ezeknek a készülékeknek a FEM (Érdemjegye) jóval kisebb a korábbi generációénál.
A PowerTfru® MOSFET-ek lágy testre szerelhető diódáinak teljesítménye kiküszöböli a rugalmas rezgéseket, vagy a nagyobb névleges feszültségű MOSFET helyettesítésével.
A legújabb PowerTrasch® MOSFET-ek aktívan árnyékolt kapuszerkezet, amely az optimális terheléselosztást biztosítja. E Advanced technológia alkalmazásával ezeknek a készülékeknek a FEM (Érdemjegye) jóval kisebb a korábbi generációénál.
A PowerTfru® MOSFET-ek lágy testre szerelhető diódáinak teljesítménye kiküszöböli a rugalmas rezgéseket, vagy a nagyobb névleges feszültségű MOSFET helyettesítésével.
MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS
A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.
Jellemzők
Tulajdonság | Érték |
---|---|
Csatorna típusa | P |
Maximális folyamatos nyelőáram | 2.4 A |
Maximális nyelő forrásfeszültség | 20 V |
Sorozat | PowerTrench |
Csomag típusa | SOT-23 |
Rögzítés típusa | Felületre szerelhető |
Tüskék száma | 3 |
Maximális nyelő forrásellenállás | 52 mΩ |
Csatorna mód | Növekményes |
Minimális kapu küszöbfeszültség | 0.4V |
Maximális teljesítménydisszipáció | 500 mW |
Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres |
Maximális kapu forrásfeszültség | -8 V, +8 V |
Hossz | 2.92mm |
Szélesség | 1.4mm |
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél | 4,5 V esetén 12 nC |
Maximális működési hőmérséklet | +150 °C |
Elemek száma chipenként | 1 |
Tranzisztor anyaga | Si |
Min. működési hőmérséklet | -55 °C |
Magasság | 0.94mm |