MOSFET, 1 elem/chip, 2 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si

RS raktári szám:: 671-0413P
Gyártó cikkszáma:: FDN327N
Gyártó:: onsemi

MOSFET, 1 elem/chip, 2 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si

Kategória megtekintése

Átmenetileg nincsen raktáron, előre megrendelhető és amint raktáron van, szállítjuk

Ár Darab (tekercsen) 150 db alatti mennyiség egy szalagon

158 Ft

(ÁFA nélkül)

201 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Egységenként
50 - 95	158 Ft
100 - 245	132 Ft
250 - 495	126 Ft
500 +	118 Ft

RS raktári szám:: 671-0413P
Gyártó cikkszáma:: FDN327N
Gyártó:: onsemi

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS

A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	2 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	20 V
Csomag típusa	SOT-23
Sorozat	PowerTrench
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	70 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség	0.4V
Maximális teljesítménydisszipáció	500 mW
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség	-8 V, +8 V
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	4,5 nC 4,5 V esetén
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Hossz	2.92mm
Szélesség	1.4mm
Tranzisztor anyaga	Si
Elemek száma chipenként	1
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Magasság	0.94mm